|
|
| اشتراك در سرزمين امام زمان (عج) |
| بازدید از این گروه |
|
|
سرزمین امام زمان عجلينكستان وبلاگ سرزمين امام زمان عج
توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه توجه
سلام به شما عزیز بیننده با توجه به مشکلی که در بلاگفای بنده بوجود امده وتمام بنرها وتعداد زیادی از ادرسهای شما وبلاگ دوستان پاک شده است اگر اسم وبلاگ و یا سایت شما دوست عزیز در لینکستان ما نبود به ما اطلاع بدهید تا دوباره ان را در وبلاگمان قرار دهیم
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
![]()
عزیزان اگر دوست دارید که وبلاگ ویا سایتتان در لینک پیوندهای این وبلاگ قرار گیرد فقط وفقط کافی است وبلاگ ویا سایتتان را از طریق نظر دهید پایین به ما اعلام کنید در اسرع وقت اسم وبلاگ ویا سایت شما پس از بررسی و در این وبلاگ مشاهده می فرمایید
سلام به شما بیننده عزیز
این صندق جهت نشان دادن حرف دل از طریق نامه با حضرت بقیه الله طراحی شده جهت نشان دادن نامه با اسم شخص خودتان نامه را از طریق نظر دهید پایین برایمان ارسال کنید
انشا الله که به دست مولا امام مهدی عج برسد

نیا نیا گل نرگس جهان که جای تو نیست دو صد ترانه به لبها یکی برای تو نیست
نیا نیا گل نرگس که در زلال دلی هزار آینه نقش و یکی ز خال تو نیست
نیا نیا گل نرگس تو را به خاک بقیع که شهر ما نه مُهیای گامهای تو نیست
نیا نیا گل نرگس به آسمان سوگند قسم به نام و نهادت دلی برای تو نیست
نیا نیا گل نرگس ز رنجمان تو مکاه کسی ز خلق و خلائق فدای راه تو نیست
نیا نیا گل نرگس بدان و آگه باش که جای سجده گه ِ ما هنوز مال تو نیست
نیا نیا گل نرگس که چون علی تنها به فجر صبح ظهورت کسی کنار تو نیست
نیا نیا گل نرگس به مجلس ندبه که ندبه ، ندبه خرقه است و پایگاه تو نیست
نیا نیا گل نرگس دعای عهد کجاست؟ نه این نماز جماعت به اقتدای تو نیست
نیا نیا گل نرگس به جان تشنه عشق دعا دعای ظهور است ولی برای تو نیست
نیا نیا گل نرگس سقیفه ها برپاست ردای سبز خلافت ولی برای تو نیست
نیا نیا گل نرگس به مادرت زهرا کسی برای شهادت به کربلای تو نیست
نیا نیا گل نرگس نیا به دعوت ما هزار نامه کوفی یکی برای تو نیست
نیا نیا گل نرگس فدا شوی مولا برای عصر عجیبی که خواستار تو نیست






|
|
|
|
مدارهای الکترونیکی بر دو نوع تقسیم میشوند مدارهای مجتمع و مجزا -مدارها مجتمع به دلیل حجم کم و کم بودن نویز انتشاری کاربرد زیادی دارد. از آنجایی که پیاده سازی مدارهای دیجیتالی بسیار حجیم تمام میشوند و مدار ساخته شده به علت بزرگی بیش از حد ممکن است بی استفاده باشد (برای مثال یک ساعت مچی دیجیتالی) از پیاده سازی مجتمع برای سیستمهای خیلی پیچیده استفاده میشود. البته توجه داشته باشید که پیچیدگی یک سیستم دیجیتالی به پیچیدگی کار نهایی که انجام میدهد بستگی ندارد. تقریباً تمامی سیستمهای دیجیتالی پیچیده هستند و پیاده سازی آنها به صورت مجزا به هیچ عنوان کار معقول و درستی نیست.
در پیاده سازی به صورت مجتمع برای اتصال بین المانهای مدار از روش لیتوگرافی استفاده میکنند. در حقیقت سیم کشی در درون یک مدار مجتمع بی مفهوم است.
به روش ساخت سیستمهای دیجیتالی با استفاده از مدارات مجتمع طراحی بلاکی میگویند.
تَراشه
تَراشه یا مدار مجتمع (که برابر فارسی "chip" یا IC یا Integrated circuit به زبان انگلیسی است) به مجموعهای از مدارات الکترونیکی اطلاق میگردد که با استفاده از مواد نیمهرسانا (عموماً سیلیکون همراه با میزان کنترل شدهای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی متر مربع) ساخته میشود. این مدارات معمولاً شامل دو یا سه نوع دستگاه الکترونیکی میباشند: مقاومت، خازن و ترانزیستور (مهمترین آنها ترنزیستور میباشد). هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور میباشد که با استفاده از فناوری پیچیدهای در داخل یک لایه از سیلیکن همگون و با ضخامتی یکنواخت و بدون ترک تزریق شده اند. امروزه تراشهها در اکثر دستگاههای الکترونیکی و بویژه رایانهها در ابعادی گسترده بکار میروند. وجود تراشهها مرهون کشفیات بشر درباره نیمه رساناها و پیشرفتهای سریع پیرامون آنها در میانههای سده بیستم میباشد.
مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای BJT(دو قطبی) باشند را با نام TTL و مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای Nmos و Pmos هستند را Cmos مینامند.ترکیب این دو تکنولوژی را با نام BiCmos میشناسند. در مقابل مدارات مجتمع مدارات Discreet یا گسسته وجود دارند که شامل قطعاتی مجزا هستند که به هم روی یک برد متصل شده اند.
در ساخت ICها طراحان سعی میکنند تا حد امکان از ترانزیستور استفاده کنند. مثلاً بجای خازن از از ترانزیستور در بایاس معکوس استفاده میکنند. و یا در جایی دیگر که مقاومت بزرگی نیاز دارند مثلاً در حد مگا اهم باز از ترانزیستور استفاده میکنند.چون در حجمی که مقاومت میگیرد میتوان چند ترانزیستور جای داد.
بعضی از IC ها به گونه ای از لایه های سیلیکون بهره میبرند که میتوانند حتی به عنوان حافظه مورد استفاده قرار گیرند نمونه ای از این IC ها EPROM نام دارد همانگونه که از اسم این نوع تراشه معلوم است فقط اطلاعات آن قابل خواندن است و امکان تغییرات در آن وجود ندارد از این نوع ای سی برای مدارات اصلی کامپیوتر نیز استفاده می شود همان قسمت از حافظه که به آن ROM نیز می گویند.
دید کلی
درست همانطور که ترانزیستور با ارائه انعطاف پذیری ، سادگی و اطمینان پذیری بیشتر نسبت به لامپ خلا انقلابی در الکترونیک ایجاد کرد مدارهای مجتمع نیز کاربردهای تازهای برای الکترونیک بوجود آوردهاند که بوسیله قطعات مجزا امکان پذیر نموده است مجتمع سازی این امکان را فراهم ساخته که میتوان مدارهای پیچیده شامل هزاران ترانزیستور ، دیود ، مقاومت و خازن را روی یک تراشه نیمه رسانای جای داد.
انواع مدارهای مجتمع برحسب کاربرد
مدار مجتمع خطی
یک IC خطی عمل تقویت یا سایر اعمال اساسا خطی را روی سیکنالها انجام میدهد نمونهای از این مدارهای خطی عبارتند از: تقویت کنندههای ساده ، تقویت کنندههای عملیاتی و مدارهای مخابراتی قیاسی
مدار مجتمع دیجیتالی
شامل مدارهای منطقی و حافظه برای کاربرد در کامپیوترها ، حسابگرها ، زیرپرندازهها ، امثال آن میباشند تا به حال بیشترین حجم ICها مربوط به حوزه دیجیتالی و به دلیل نیاز زیاد به این مدارها بوده است. از آنجایی که مدارهای دیجیتالی معمولا فقط به عملکرد «قطع و وصل» ترانزیستورها نیاز دارند شرایط طراحی مدارهای دیجیتالی مجتمع اغلب سادهتر از مدارهای خطی است. مدار های دیجیتال با مدارهای مجتمع ساخته می شوند. یک مدار مجتمع ( یا آی سی ) یک کریستال کوچک نیمه هادی به نام تراشه است. که قطعات الکترونیکی را برای گیت های دیجیتال در خود دارد. اتصالات داخل تراشه مدار مورد نیاز را به وجود می آورند. تراشه در داخل یک محفظه پلاستیک و یا سرامیک جاسازی می شود. و اتصالات آن با سیم های طلایی نازک به پایه های خارجی جوش داده می شود تا مدارات مجتمع به وجود آیند.
تعداد پایه ها ممکن است از 14 پایه در بسته های کوچک تا 100 پایه یا بیشتر در بسته های بزرگتر تغییر کند. هر مدار مشترک یا آی سی دارای یک مشخصه عددی ست که روی سطح بسته بندی آن برای شناسایی چاپ میشود. هر سازنده یک کتابچه راهنما یا کاتالوگ با شرح دقیق و تمام اطلاعات لازم در باره آی سی های ساخت خود را چاپ می کند.
باپیشرفت تکنولوژی مدار های مجتمع تعداد گیت هایی که می تووانست در یک تراشه جای گیرد به میزان قابل توجه ای افزایش یافت. تراشه هایی که دارای چند گیت داخلی بودند و آن دسته که چند صد گیت دارا بودند در بسته هایی با ظرفیت یا مقیاس کوچک متوسط یا بزرک جای داده شده اند.
مدار های مجتمع با مقیاس کوچک (SSI) دارای چند گیت مستقل در یک بسته واحد هستند. ورودی ها و خروجی های گیت ها مستقیما به پایه های بسته متصل اند. تعداد گیت ها معمولا کمتر از 10 و محدود به تعداد پایه ها در آی سی می باشند.
قطعات مجتمع با مقیاس متوسط (MSI) دارای تقریبا 10 الی 200 گیت در هر بسته می باشند. این وسیله ها معمولا توابع دیجیتال ساده همچون دیکدر ها - جمع کننده ها و ثبات ها را اجرا می نمایند.
مدار ها یا وسایل مجتمع با مقیاس بزرگ (LSI) بین 200 تا چند هزار گیت در هر بسته دارند. این بسته ها سیستم های دیجیتالی همچون پردازنده ها- تراشه های حافظه و ماژول های قابل بر نامه ریزی را شامل می شوند.
قطعات مجتمع با مقیاس بسیار بزرگ (VLSI) حاوی هزاران گیت در یک بسته اند. مثال هایی از این گروه عبارتند از آرایه های بزرگ حافظه/ تراشه های پیچیده ریز کامپیو تر ها. VLSI ها به دلیل کوچکی و ارزانی انقلابی در تکنولوژی ساجت سیستم ها کامپیو تری به وجود آورده و به طراحان امکان ساخت و ایجاد ساختار هایی را دادند که قبلا اقتصادی نبودند.
مدار های مجتمع نه تنها بر اساس عملکرد منطقی شان طبقه بندی می شوند بلکه از نظر تکنولوژی خاص مدار هایی که به آن تعلق دارند نیز دسته بندی می گردند. تکنولوژی به کار رفته در مدار را خانواده منطقی دیجیتال می خوانند. هر خانواده منطقی مدار الکترونیکی پایه خاصی را داراست که مدار ها و و توابع دیجیتال پیچیده تر بر اساس آن تهیه می شوند.
مدار پایه در هر تکنولوژی یک گیت NAND/NOR و یا معکوس کننده است.
در نام گذاری تکنولوژی ار قطعات الکترونیکی به کار رفته در ساخت مدار پایه معمولا استفاده می شود. بسیاری از خانواده های مختلف منطقی به صورت مدار های مجنمع در سطح تجاری عرضه شده اند. متداول ترین خانواده ها در زیر معرفی شده اند:
TTL-منطق ترانزیستور -ترانزیستور
ECL-منطق کوپل امیتر
MOS-منطق فلز- اکسید- نیمه هادی
CMOS-منطق فلز - اکسید - نیمه هادی مکمل
انواع مدارهای مجتمع برحسب ساخت
مدارهای یکپارچه
مدارهای مجتمعی که بطور کامل روی یک تراشه نیمه رسانا (معمولا سیلسیوم) قرار میگیرند مدارهای یکپارچه نامیده میشود واژه یکپارچه از لحاظ ادبی به معنای «تک سنگی» بوده و به مفهوم آن است که کل مدار در یک قطعه واحد از نیمه رسانا جا داده میشود. مدارهای یکپارچه دارای این مزیت هستند که تمام عناصر در یک ساختار منفرد و محکم و با امکان تولید گروهی قرار میگیرند یعنی صدها مدار مشابه را میتوان بطور همزمان روی یک پولک: S ساخت.
مدارهای آمیخته
هر گونه الحاقاتی به نمونه نیمه رسان مانند لایههای عایق کننده و الگوهای فلز کاری در سطح تراشه انجام میپذیرد. یک مدار آمیخته میتواند دارای یک یا چند مدار یکپارچه یا ترانزیستورهای جداگانه باشد که به همراه اتصالات داخلی مناسب به یک بستر با مقاومتها ، خازنها ، و سایر عناصر مداری پیوند شده باشند. مدارهای آمیخته با داشتن عایق عالی بین عناصر امکان استفاده از مقاومتها و خازنهای دقیق را فراهم میسازند.
تکنولوژی مورد استفاده در هنگام ساخت مقاومت و... بیرون تراشه SI
فرآیند لایه نازک
تکنولوژی لایه نازک از دقت و کوچک سازی بیشتری برخورد بوده و عموما در جایی که فضا اهمیت دارد ترجیح داده میشود الگوهای اتصال بندی و مقاومتهای لایه - نازک را میتوان به روش خلا روی یک بستر سرامیکی شیشهای یا لعابی نشاند. ساخت خازنها در روشهای لایه - نازک از طریق نشاندن یک لایه عایق بین دو لایه فلزی بین دو لایه فلزی یا با اکسید کردن سطح یک لایه و سپس نشاندن لایه دوم روی آن صورت میگیرد.
فرآیند لایه ضخیم
مقاومتها ، الگوهای اتصالات داخلی روی یک بستر سرامیکی به روش سیلک - اسکرین (نوعی توری محافظ و با عبور رنگ در سوراخهای باز و بسته توری نقش دلخواه روی هر چه که بخواهیم چاپ میشود) یا فرآیندهای مشابه چاپ میشوند خمیرهای مقاومتی و هدایتی متشکل از پودرهای فلزی در شکلی سازمان یافته روی بستر چاپ شده و در یک اجاق حرارت داده میشوند یک مزیت این است که میتوان مقاوتها را در کمتر از مقادیر مشخص شده ساخت و سپس بوسیله سایش یا تبخیر انتخابی توسط یک لیزر پالسی آنها را تنظیم کرده خازنهای کوچک سرامیکی را میتوان همراه با مدارهای یکپارچه یا ترانزیستورهای منفرد در جای خود در الگوی اتصالات داخلی متصل کرد.
مزایای مجتمع سازی
ممکن است بنظر آید که ساخت مدارهای مجتمع شامل تعداد زیادی قطعه به هم متصل شده روی یک بستر si از جنبههای فن و اقتصادی مخاطره آمیز خواهد بود. در حالیکه حقیقت این است که روشهای نوین امکان انجام این کار را به صورت مطمئن و نسبتا کم هزینه فراهم ساختهاند، در بیشتر مواقع یک مدار کامل روی تراشه Si را میتوان بسیار ارزانتر و مطمئنتر از یک مدار مشابه با استفاده از قطعات مجزا تولید کرد. دلیل اصلی این امر ساخت صدها مدار مشابه بطور همزمان روی پولک Si است این فرآیند تولید گروهی نامیده میشود.
علیرغم پیچیدگی و هزینه بالای مراحل ساخت برای یک پولک تعداد زیادی مدارهای مجتمع بدست آمده هزینه نهایی هر یک را بطور نسبی پایین میآورد. Ic امکان افزودن اقتصادی قطعات متعددی را دارا هستند، همچنین اطمینان پذیری نیز بهتر میشود زیرا ساخت تمام قطعات و اتصالات داخلی روی یک بستر محکم انجام شده و در نتیجه معایب ناشی از اتصالات سیم کاری به میزان بسیار زیادی کاهش مییابد، برخی از مزایای کوچک سازی مربوط به زمان پاسخ و سرعت انتقال یکسان بین مدارها است.
کاربرد
مدارهای پیچیده را میتوان برای استفاده در سفینه فضایی ، کامپیوترهای بزگ و کاربردهای دیگری که استفاده از مجموعه بزرگی از قطعات مجزا در آنها غیر عملی است به میزان بسیار زیادی کوچک کرد یقینا عناصر مجزا نقش مهمی در توسعه مدارهای الکترونیکی داشتهاند با این وجود امروزه بیشتر مدارها به جای استفاده از مجموعه عناصر منفرد روی یک تراشه Si ساخته میشود.
ریز پردازنده
اجازه بدهید تا به جای واژه ریزپردازنده از واژه بازاری آن ، یعنی سی پی یو استفاده کنم. اولین قطعه ای که میخواهم راجع به آن صحبت کنم سی پی یو است و علت آن این استکه تقریباً سی پی یو استکه مشخص کننده سطح کلی رایانه شماست و به عنوان مغز رایانه شما نقش مهمی را ایفا میکند. خیلی وقتها شنیده اید که میگویند سرعت رایانه ما 800 است و یا 1900 است و یا می پرسند که سرعت رایانه شما چقدر است ؟ البته هیچگاه یک رایانه را نمیتوان با یک عدد به نام سرعت سنجید ولی در واقع این عدد سرعت ساعت سی پی یو شما میباشد که تاثیر زیادی در عملکرد رایانه شما دارد.
سی پی یو که یک قطعه کاملاً الکترونیکی است در واقع مغز رایانه شماست و آنجایی استکه تمام محاسبات در آن انجام میشود . به علت فن آوری بسیار بالا در ساخت آن تنها چند کمپانی بزرگ میتوانند آنرا تولید کنند که برای رایانه های شخصی این تعداد در واقع دو کمپانی میباشد. تقریباً تمام سی پی یوهای رایانه های شخصی جهان را این دو شرکت تولید میکنند و این دو شرکت رقابت فشرده ای را با هم دارند. شرکت اول اینتنل Intel و شرکت دوم ای ام دی ( A.M.D ( Advanced Micro Devices . تا چند سال قبل بیش از %90 سی پی یوهای جهان را اینتل تولید میکرد و سی پی یوهای ای ام دی در مقایسه با سی پی یوهای اینتل ضعیف عمل میکردند اما بعد از سال 2000 میلادی این اختلاف از میان رفت و سی پی یوهای دو شرکت رقابت فشرده ای را با هم شروع کردند.
هر سی پی یو شامل ویژگیهایی استکه این ویژگیها نوع سی پی یو شما را مشخص میکند. شرکت سازنده ، سرعت ساعت درونی Internal Clock Speed که به سرعت مشهور است ، فرکانس کاری آن که به آن سرعت باس یا سرعت انتقال داده نیز گفته میشود Bus Speed ، نسبت سی پی یو یا نسبت ساعت که عبارت است از سرعت باس / سرعت ساعت ratio = clock speed / bus speed . با داشتن سرعت ساعت و سرعت باس ، نسبت سی پی یو بدست میاید .ویژگی دیگر میزان حافظه موقت درونی یا کش cash می باشد .حال به شرح این ویژگیها میپردازم.
الف) سرعت ساعت - واحد سنجش آن MHZ - Mega Hertz - مگا هرتز و یا GHZ گیگا هرتز می باشد. هر مگاهرتز یک ملیون هرتز و هر گیگا هرتز یک ملیارد هرتز می باشد.این تقریباً بدان معنی است که یک سی پی یو با سرعت یک گیگاهرتز قادر است یک ملیارد دستورالعمل واحد را انجام دهد. هر دستورالعمل واحد کوچکترین عملیاتی استکه سی پی یو میتواند انجام دهد. سرعت سی پی یو های امروزی بین 800MHZ تا 3GHZ می باشد.
ب ) سرعت باس - واحد آن MHZ می باشد , سرعت یا فرکانسی استکه سی پی یو از ان برای ارتباط میان اجزای خود و دنیای خارج استفاده میکند. این سرعت نقش بسزایی در عملکرد رایانه دارد. در قسمتهای بعد در مبحث Overclocking میگویم که با افزایش این سرعت است که سی پی یو overclock میشود.
ج ) نسبت سی پی یو - که با ضرب آن در سرعت باس ، سرعت ساعت بدست می اید. توجه داشته باشید که برای یک سی پی یو دو عدد سرعت باس و نسبت سی پی یو مشخص می باشد و از روی این دو سرعت ساعت محاسبه می شود. این نسبت چیزی مثل 5 ، 5.5 ، 6 ، 6.5 ، ... ، 18 ،.. میباشد.
د ) حافظه موقت یا کش - نکته ای که وجود دارد این استکه سرعت کاری سی پی یو خیلی بیشتر از دیگر قطعات رایانه میباشد . حال اگر سی پی یو بخواهد مستقیم با حافظه و یا سخت دیسک در ارتباط باشد چون سرعت آنها پایین است ، سرعت سی پی یو نیز پایین می اید و عملکرد رایانه پایین می اید . برای حل این مشکل نوعی از حافظه وجود دارد که به کش مشهور است و بسیار سریعتر از حافظه معمولی عمل میکند ، چیزی بیش از 1000 برابر سریعتر . اما چون ساخت آن هزینه بر است فقط مقدار کمی از آن درون سی پی یو جاسازی می شود و حافظه سیستم را نمی توان از کش ساخت . کش خود دو نوع کلی دارد یکی کش اولیه level 1 و یکی کش ثانویه level 2 ، که ذکر جزییات ان در این مطلب ضروری نیست. واحد شمارش این حافظه کیلو بایت می باشد.چیزی مثل 128kb ، 256 kb ، 512 kb و یا 1024kb = 1 mb مقدار کش تاثیر زیادی در عملکرد رایانه دارد .آنجا که گفتم رایانه را نمی توان فقط با یک سرعت سنجید یکی از دلایلش همین بود . در واقع در دنیای رایانه یک سی پی یو با سرعت 350mhz و 512kb کش مسلماً از یک سی پی یو با سرعت 500mhz و 128kb کش ، قوی تر و گرانتر است.
حال دوباره برمیگردیم به بحث کمپانیها . حتماً شما نام پنتیوم را شنیده اید و واژه های پنتیوم1 ، پنتیوم 2، پنتیوم 3 و پنتیوم 4 برای شما آشناست . اگر یک نگاه تاریخی به ساخت سی پی یو بیندازیم می بینیم شرکت اینتل در دهه قبل و دو دهه قبل سی پی یو های خود را با این نامها ساخته است 4044 ، 8086 ، 8088 ، 80286 ، 80386 و 80486 . البته مدلهای دیگری نیز ساخته شدند اما این مدلها مشهورتر هستند. هر سی پی یو را که اینتل می ساخت شرکت ای ام دی نیز شبیه آنرا می ساخت و روانه بازار میکرد . اینکار باعث شکایت اینتل از ای ام دی بابت استفاده از نام مشابه شد ولی شکایت پذیرفته نشد زیرا 8086 یا 80386 نمی توانست نام اختصاصی برای یک کالا باشد . به همین دلیل اینتل در نسل بعدی تراشه های خود یعنی 80586 آنرا پنتیوم نامید . واژه پنتا در زبان یونانی به معنای پنج می باشد. به همین منوال سی پی یوهای پنتیوم 2 ، پنتیوم 3 ، پنتیوم 4 و سلرون ساخته شد و ای ام دی نیز سی پی یوهای K6 - K7 و سپس Duron دوران و Athlon اتلون و Athlon XP اتلون ایکس پی را روانه بازار کرد.
هر رده از سی پی یو با رده قبلی خود اختلافات زیادی از لحاظ قابلیتها و تعداد ترانزیستورها دارد و هر رده شامل چندین سی پی یو با سرعت باس مشخص مثل 133 و یا 400 و نسبت سی پی یو متفاوت میباشد. البته بعضی وقتها ممکن است یک رده شامل دو یا سه سرعت باس باشد.در ادامه نکات زیادی وجود دارد که باید به آنها اشاره کنم . شرکت اینتل همواره طیف وسیعی از سی پی یوها را تولید میکند . بعد از پنتیوم 1 ، اینتل همواره سی پی یوهای خود را با دو یا سه مقدار متفاوت از کش تولید میکند. اینتل سی پی یوهایی با 128kb کش را سلرون Celeron نامید . توجه کنید سلرونها خود رده متفاوتی از سی پی یو میباشند اما سی پی یوهای پنتیوم 2 ، پنتیوم 3 و پنتیوم 4 همگی 256kb و یا 512kb کش دارند اگر از نوع 256 باشند معمولا به آنها نیمه کش یا هالف کش Half Cash می گویند و اگر از نوع 512 باشد به آن فول کش Full Cash به معنای کش کامل، می گویند.البته اینها برای اینتل بود . ای ام دی نیز در حال حاظر دو رده متفاوتی از سی پی یو را تولید میکند . پردازنده های دوران که در رقابت با سلرون تولید میشوند و 192kb کش دارند و پردازنده های اتلون ایکس پی که در رقابت با پنتیوم 4 ساخته میشوند و دارای 384 کیلو بایت کش میباشند ( 128kb کش اولیه و 256kb کش ثانویه )
نکته دیگری که وجود دارد این استکه به علت اختلاف در معماری پردازنده های اینتل و ای ام دی ، ای ام دی مشاهده کرد که پردازنده هایی که با سرعت مثلاً 1700 تولید کرده از پردازنده 1700 اینتل خیلی قویتر عمل میکند . لذا در سی پی یوهای اتلون ایکس پی خود معیار نامگذاری را معادل آن در اینتل قرار داد. حال سی پی یوهای ای ام دی در بازار با نامهای به صورت +athlon xp 1700 و یا +athlon xp 3000 موجودند . این بدان معنی استکه این پردازنده معادل پنتیوم 4 1700mhz و یا پنتیوم 4 3ghz می باشند . اما این سرعت نسبی آنها است و سرعت واقعی آنها کمتر از این میباشد..مثلاً اتلون ایکس پی 1700 سرعتی معادل 1466mhz دارد و اتلون ایکس پی 1800 سرعتی معادل 1533mhz دارد ( سرعت باس سی پی یو های اتلون ایکس پی 133mhz میباشد ولی به علت فن آوری FSB معادل 266mhz عمل میکند ) یعنی سرعت واقعی هر پردازنده 66mhz از مدل قبلی خود بیشتر است ولی معادل اینتل آن 100 واحد بیشتر است.
تَراشه یا مدار مجتمع (که برابر فارسی chip یا آیسی: IC یا Integrated circuit به زبان انگلیسی است) به مجموعهای از مدارات الکترونیکی اطلاق میگردد که با استفاده از مواد نیمهرسانا (عموماً سیلیکون همراه با میزان کنترل شدهای ناخالصی) در ابعادی کوچک (معمولاً کمتر از یک سانتی متر مربع) ساخته میشود. این مدارات معمولاً شامل دو یا سه نوع دستگاه الکترونیکی میباشند: مقاومت، خازن و ترانزیستور (مهمترین آنها ترنزیستور میباشد). هر تراشه معمولاً حاوی تعداد بسیار زیادی ترانزیستور میباشد که با استفاده از فناوری پیچیدهای در داخل یک لایه از سیلیکن همگون و با ضخامتی یکنواخت و بدون ترک تزریق شدهاند. امروزه تراشهها در اکثر دستگاههای الکترونیکی و بویژه رایانهها در ابعادی گسترده بکار میروند. وجود تراشهها مرهون کشفیات بشر درباره نیمه رساناها و پیشرفتهای سریع پیرامون آنها در میانههای سده بیستم میباشد.
مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای دوقطبی (BJT: Bi Junction Transistor) باشند را با نام Transistor Transistor Logic) TTL) و مدارات مجتمعی که شامل ترانزیستورهای NMOS و PMOS هستند را(Cmos(Complementry Metal Oxide Semiconductorمینامند.ترکیب این دو تکنولوژی را با نام BiCmos میشناسند. در مقابل مدارهای مجتمع، مدارهای گسسته وجود دارند که شامل قطعاتی مجزا هستند که به هم روی یک برد متصل شدهاند.
در ساخت ICها طراحان سعی میکنند تا حد امکان از ترانزیستور استفاده کنند. مثلاً بجای خازن از از ترانزیستور در بایاس معکوس استفاده میکنند. و یا در جایی دیگر که مقاومت بزرگی نیاز دارند مثلاً در حد مگا اهم باز از ترانزیستور استفاده میکنند.چون در حجمی که مقاومت میگیرد میتوان چند ترانزیستور جای داد.
بعضی از ICها به گونهای از لایههای سیلیکون بهره میبرند که میتوانند حتی به عنوان حافظه مورد استفاده قرار گیرند نمونهای از این ICها PROM نام دارد (حافظهٔ قابل برنامهریزی فقطخواندنی: Programmable Read Only Memory) همانگونه که از اسم این نوع تراشه معلوم است فقط اطلاعات آن قابل خواندن است و امکان تغییرات در آن وجود ندارد از این نوع ای سی برای مدارات اصلی کامپیوتر نیز استفاده میشود همان قسمت از حافظه که به آن ROM نیز میگویند.
به مدارهای AND,OR,NOT گیتهای منطقی (Logical Gate) میگویند. برای اینکه در یک مدار از این گیتها استفاده کنید نیاز نیست که شما این گیتها را با استفاده از ترانزیستور بسازید. این گیتها به صورت آماده در بازار با قیمتهای بسیار پایین وجود دارد. فقط کافی است که شما این ICها را بشناسید تا بتوانید از آنها استفاده کنید. در این جلسه قصد داریم ضمن معرفی بیشترگیتهای منطقی به معرفی و نحوه استفاده از ICهای دیجیتال بپردازیم. گیت NOT :این گیت را به صورت شکل مقابل نشان میدهند. همانطور که جلسات پیش گفتیم این گیت تنها یک ورودی و یک خروجی دارد معمولاً برای گیتهای منطقی یک جدول نیز رسم میکنند که به این جدول، جدول درستی میگویند. در این جداول عدد ۱ بیانگر درست و عدد صفر بیانگر غلط است. دقت کنید همه این عبارت یک معنی دارند :روشن، صحیح، ۵ ولت، ۱همچنین عبارت زیر نیز یک مفهوم دارند خاموش، غلط، صفر ولت، ۰جدول درستی برای این گیت به شکل زیر است
این جدول بیان میکند که چنانچه ورودی گیت صفر باشد خروجی ۱ خواهد بود یا اینکه اگر ورودی صفر ولت باشد خروجی ۵ ولت خواهد بود. و همچنین اگر ورودی ۱ باشد خروجی صفر خواهد بود و یا به طور مشابه مانند قبل اگر ورودی۵ ولت باشد خروجی صفر ولت خواهد بود. ICهای NOT در درون خود چندین گیت NOT را دارند یعنی اینکه هنگامی که شما یک IC از نوع NOT میخرید درون IC، ۶ تا گیت NOT وجود دارد. شکل زیر ساختمان داخلی یک IC از نوع NOT را نشان میدهد.
همانطور که در شکل مشاهده میکنید این IC از شش گیت NOT تشکیل شدهاست پایه شماره ۱ IC یک پایه ورودی محسوب میشود خروجی این گیت پایه ۲ است. همچنین پایه ۳ ورودی یک گیت NOT دیگر است که خروجی آن پایه ۴ است. دقت کنید در ICها در قسمت بالا یک نیم دایره قرار دارد که معرف قسمت بالای IC میباشد و پایهای که در سمت چپ این نیم دایره قرار دارد طبق قرار داد پایه ۱ است. هر IC برای اینکه به درستی کار کند نیاز به یک تغذیه (مثبت ومنفی که از باطری یا منبع تغذیه تامین شده باشد) نیز دارد. در این ICپایه شماره ۷ پایه زمین (قطب منفی باطری یا صفر ولت) و پایه ۱۴ پایه مثبت میباشد.یعنی شما در یک مدار باید ابتدا پایه ۷ را به قطب منفی باطری یا زمین (صفر ولت) متصل کنید سپس پایه ۱۴ را نیز به قطب مثبت متصل کنید. الان ۶ گیت شما آماده شدهاست برای تست میتوانید در قسمت ورودی ازیک کلید و یک مقاومت ۱ کیلو اهم و در قسمت خروجی از یک LED و یک مقاومت ۲۲۰ اهم استفاده کنید. مدارهای ورودی و خروجی را بدین شکل ببندید.
در زمانی که سوییچ باز است ورودی گیت صفر ولت خواهد بود و خروجی گیت ۵ ولت بوده و LEDرا روشن خواهد کرد. اما هنگامی که سوییچ را بزنید و پایین نگه دارید ورودی گیت ۵ولت خواهد شد و خروجی گیت صفر ۵ ولت شده و LEDرا خاموش خواهد شد. با این وسیله ساده میتواند تک تک گیتها را چک کنید. IC NOT در بازار به اسم ۷۴۰۴ شناخته میشود. (شما میتوانید این عدد را روی IC پیدا کنید). (این رو هم تو پرانتز و یواشکی بهتون بگم قیمت هر IC حداکثر ۲۰۰ تومان هست مواظب باشید گرون نخرید) گیت ANDاین گیت را به صورت شکل مقابل نشان میدهند. باز همانطور که ذکر شد این گیت دو ورودی دارد و یک خروجی برای این گیت هم یک جدول درستی وجود دارد. پایههای ورودی این گیت را با حروف A,B نشان میدهند و پایه خروجی را با حرف Q نشان میدهند. همانطور که جلسه پیش گفتیم خروجی این گیت تنها زمانی یک (صحیح) است که هر دو ورودی صحیح باشد. جدول درستی هم به نوع دیگری این نحوه کار گیت را مشخص میکند.
این جدول بیان میکند که چنانچه ورودیA,B هر دو صفر باشند، خروجی صفر خواهد بود و اگر یکی از این دو ورودی نیز صفر باشد باز هم خروجی صفر خواهد شد. تنها در صورتی خروجی صحیح است که هر دو ورودی یک باشد. در شکل زیر نقشه داخلی یک ICاز نوعAND را مشاهده میکنید. در این IC ۴ گیت AND وجود دارد. پایه اول ودوم این ICورودیهای گیت AND است وپایه سوم، خروجی این گیت است. چنانچه این دو پایه را به دو کلید همانند آنچه در مثال قبلی ذکر شد وصل کنیم و یک LED هم به پایه سوم متصل کنیم میتوانیم نحوه کار این IC را بررسی کنیم. این IC در بازار به اسم ۷۴۰۸ شناخته میشود. یادتان نرود پایههای ۷ را به زمین و ۱۴ را به ولتاژ مثبت متصل کنید.
نقشه درونی IC به شماره ۷۴۰۸ گیت ORاین گیت را به صورت شکل مقابل نشان میدهند. همانطور که ذکر شد این گیت دو ورودی و یک خروجی دارد برای این گیت هم یک جدول درستی وجود دارد. پایههای ورودی این گیت را همانند ICهای ANDبا حروف A,B و پایه خروجی را با حرف Q نشان میدهند. خروجی این گیت در صورتی یک (صحیح) میشود که یکی از هر دو ورودی صحیح باشد. جدول درستی هم به نوع دیگری این نحوه کار گیت را مشخص میکند.
این جدول بیان میکند که چنانچه ورودیA,B هر دو صفر باشند، خروجی صفر خواهد بود و اگر یکی از این دو ورودی یک شود خروجی هم یک میشود. همچنین اگر هر دو ورودی نیز یک باشد درآن صورت خروجی نیز یک خواهد شد. در شکل زیر نقشه داخلی یک ICاز نوع OR را مشاهده میکنید. در این IC ۴ گیت OR وجود دارد. پایه اول ودوم این ICورودیهای گیت OR است وپایه سوم، خروجی این گیت است. چنانچه این دو پایه را به دو کلید همانند آنچه در مثال قبلی ذکر شد وصل کنیم و یک LED هم به پایه سوم متصل کنیم میتوانیم نحوه کار این IC را بررسی کنیم. این IC در بازار به اسم ۷۴۳۲ شناخته میشود. یادتان نرود پایههای ۷ را به زمین و ۱۴ را به ولتاژ مثبت متصل کنید.
نقشه داخلی ICبه شماره ۷۴۳۲
این سه Ic که نقشه آنها را بیان کردیم ICهای اصلی و مورد نیاز شما هستند همه جور گیت منطقی دیگر را نیز میتوان با این ICها ساخت به عنوان مثال شما نیاز دارید که یک گیت AND با سه ورودی بسازید. یعنی هر گاه هر سه ورودی یک شود خروجی یک شود و در بقیه حالات صفر باشد برای این کار شما میتوانید از دو گیت AND به شکل زیر استفاده کنید.
در این شکل تنها خروجی زمانی یک میشود که هر دو ورودی C,Q’ یک باشند و Q’ زمانی یک میشود که A,B هر دو یک باشند. یعنی برای یک شدن نیاز است که هر سه ورودی یک شود گرچه ICاز نوعANDبا سه ورودی هم در بازار وجود دارد (شماره ۷۴۱۱)حتی AND با ۴ ورودی هم وجود دارد. (شماره ۷۴۲۱) تمرین: یک مدار OR با سه ورودی بسازید.
مثال : یک مدار نیاز داریم به گونهای که هر گاه یکی یا هردو ورودی یک شود خروجی صفر شود. در غیر این صورت خروجی یک باقی بماند. این مدار میتواند زمانی کاربرد داشته باشد که یک در قفل الکترونیکی داشته باشد که این قفل به Q متصل است هر گاه Qیک باشد در قفل است و هنگامی که Q صفر شود قفل باز خواهد شد. ورودیهای A,B به کلیدهای الکترونیکی متصل هستند که در دو درطرف در نصب شدهاند. در باید این قابلیت را داشته باشد که هم از بیرون و هم از درون باز شود. جدول درستی این مدار به شکل زیر است این مدار را با استفاده از گیتهای اصلی بسازید. همانطور که در جدول مشاهده میکنید خروجی مورد نظر دقیقا برعکس خروجی یک مدارAND است پس میتوان از یک مدارAND به همراه یک NOT استفاده کرد یعنی شکل زیر:
شاید برایتان سوال پیش آمده باشد که آیا IC با این مشخصات نیز داریم ؟ بله داریم و به آن NOT AND یا به اختصار NAND(نَند) گویند (شماره ۷۴۰۰) به همین شکل IC NOR هم داریم که قطعاً میتوانید حدس بزنید از چه نوعی است و چگونه کار میکند. مثال : یک مدار طراحی کنید به گونهای که هر گاه هر دو ورودی مثل هم باشند یعنی هر دو یک یا هردو صفر خروجی یک شود در غیر اینصورت خروجی صفر باشد. جدول درستی این مدار در زیر آمدهاست
میتوان گفت خروجی در دو حالت ۱ میشود حالت اول حالتی است که هم A و هم B صفر باشد این مدار را این طور طراحی میکنیم :
حالت بعدی که خروجی یک میشود حالتی است که هر دو ورودی ۱ باشد یعنی مدار زیر
مدار کامل تر کیب هر دوی این دو مدار است خروجی نهایی زمانی یک خواهد شد که یکی از این دو خروجی یک شود (مدار OR) پس مدار نهایی به شکل زیر است
مدار دیگری نیز وجود دارد که خروجی آن معکوس این مدار است یعنی در بعد از OR یک NOT هم قرار دارد در این صورت خروجی تنها زمانی ۱می شود که وردیها با هم متفاوت باشد. یعنی اگر هر دو ورودی یک یا هر دو ورودی صفر باشد خروجی صفر خواهد بود تنها زمانی خروجی یک میشود که ورودیها با هم فرق داشته باشد (یکی صفر و یکی یک) به این مدار گیت XOR گویند و IC آن نیز موجود است (۷۴۸۶) گیت XOR را به شکل مقابل در مدارها نشان میدهند از این گیت در ساخت مدارات که چند عدد باینری (مبنای ۲) را با هم جمع میکند استفاده میکنند
مدارهای الکتریکی ازتعداد زیادی قطعه یا المان الکتریکی تشکیل شده اند که فضای زیادی را اشغال می کنند اختراع مدارهای مجتمع این مشکل مدارات الکتریکی و نیز کا هش توان الکتریکی بالای آنها را جبران کرد از دیگر مزایای مدارات مجتمع سرعت بالای آن نسبت به مدارات الکتریکی است حال برای آشنایی بیشتر به بررسی یکی از این IC ها که دارای کاربرد زیادی نیز می باشد خواهیم پرداخت
IC Timer 555 یكی از پركاربردترین آی سی هایی است كه برای مصارف متعددی مورداستفاده قرار می گیرد و دارای دقت فوق العاده زیاد و خطای كم می باشد بیشترین کاربرد آن در مدارات ایجاد پالس با فرکانس های متفاوت است و از دیگر کاربردهای آن کنترل پهنای پالس، مدارات تایمر و فرستنده و گیرنده وغیره.... هم می توان اشاره کرد مشخصات کامل پایه های آن در شکل آمده است که در دو حالت آستابل و مونو آستابل کار می کند

در حالت مونو استابل تولید و شکل پالس توسط پایه شماره 2 قابل کنترل است و اما در حالت آستابل در صورتی که تغذیه مثبت و منفی آن که مطابق شکل در پایه های 1و4و8 (ولتاژ تغذیه این آی سی چیزی بین 5 تا 15 ولت و حداکثر 18 ولت است) واتصال خازن و مقاومت درپایه های 2و6و7 صورت پذیرد به طور خودکار و بدون تحریک پالسهای ثابتی را ایجاد می کند خروجی ای سی که می توان پالس را از آن دریافت کرد در هر دو صورت پایه شماره 3 می باشد.
ممکن است تصور شود که ساخت مدارهای مجتمع ، شامل تعداد زیادی قطعه بهم متصل شده روی یک بستر Si از جنبه فنی و اقتصادی مخاطره آمیز باشد، در حالی که روشهای نوین امکان انجام اینکار را بصورت مطمئن و نسبتا کم هزینه فراهم ساخته است. در بیشتر مواقع یک مدار کامل روی تراشه Si را میتوان بسیار ارزانتر و مطمئنتر از یک مدار مشابه با استفاده از قطعات مجزا تولید کرد. دلیل اصلی این امر امکان ساخت صدها مدار مشابه بطور همزمان روی پولک Si است که این فرآیند تولید گروهی Batch Fabrication نامیده میشود. این مدارها که بطور کامل روی یک تراشه نیم رسانا قرار میگیرند مدارهای یکپارچه نامیده میشوند.
واژه یکپارچه از لحاظ ادبی که به معنای تک سنگی بوده و به مفهوم آن است که کل مدار در یک قطعه واحد از نیم رسانا جا داده شده است. مهمترین عنصر تکنولوژی IC تراشه یکپارچه است که میتواند دارای هزاران یا میلیونها ترانزیستور منفرد باشد، این مدارها روی پولک Si به قطر ۶ یا ۸ اینچ ساخته میشوند. پس این مدارها با استفاده از زدایش انتخابی ، برش یا خراش توسط تیغه الماسی یا لیزر و شکستن آن به مربعها یا مستطیلهای کوچک از مدارهای منفرد تفکیک میشود و پس از آن هر مدار روی یک بستر مناسب نصب شده و اتصال زنی و بسته بندی انجام میگیرد.
.
فرآیند ساخت
.
نقاب گذاری و آلایش انتخابی
هدف از فرآیند ساخت ، آلایش انتخابی نواحی معین از نیم رسانا و اتصال مناسب عناصر بدست آمده بوسیله یک الگوی فلز کاری است. با منظور کردن مراحل اکسایش ، تعداد عملیات بکار رفته در ساخت یک مدار میتواند کاملا زیاد باشد به عنوان مثال ترانزیستور نفوذ داده شده را در نظر میگیریم، مراحل اساسی عبارتند از:
رشد لایه اکسید اول
بازکردن یک پنجره در SiO2 برای نفوذ بیس
انجام نفوذ بر
رشد یک لایه اکسید دوم
باز کردن یک پنجره برای نفوذ امیتر
انجام نفوذ فسفر
رشد یک لایه اکسید سوم
باز کردن پنجرههایی برای اتصالات بیس و امیتر
تبخیر Al روی سطح
برداشتن Al بجز در الگوهای فلز کاری مورد نظر
در این مثال ساده دو مرحله اکسایش ، دو نفوذ و یک فلز کاری بکار رفته است. تعداد نقابهای لازم ۴ عدد است، دو تا برای نفوذ ، یکی برای پنجرههای اتصالات و یکی برای تعریف فلز کاری. برای مدارهای مجتمع مراحل خیلی بیشتر و در نتیجه نقابهای خیلی زیادی لازم است. نکته مهم کاهش ابعاد هر مدار و استفاده از پولکهای بزرگ به منظور افزایش تعداد قطعات قابل استفاده از تولید گروهی است. مفهوم این امر این است که نقابهای مختلف باید بسیار دقیق بوده و در طی هر مرحله لیتوگرافی نوری بخوبی همراستا شوند.
در حالت کلی یک نسخه دقیق از الگوی مورد نظر برای یکی از مراحل نقاب گذاری ، برای عضوی از آرایه مدارها تهیه میشود. این نسخه اولیه عکسبرداری شده و ابعاد آن کاهش مییابد. سپس یک دوربین با تکرار مرحلهای برای عکسبرداری از الگوی کوچک شده و انجام کوچک سازی نهایی مورد استفاده قرار گرفته و این روند را برای هر مستطیل در آرایه نهایی که میتواند دارای صدها الگوی مشابه باشد تکرار میکند. آرایه الگوی نهایی روی یک نقاب شیشهای چاپ شده و این نقاب در مرحله لیتوگرافی روی پولک Si قرار داده میشود
.
لیتوگرافی خط – ریز Fine – Line Lithography
تلاش در جهت جا دادن چگالی عملیاتی مدام در حال افزایش روی یک تراشه Si اشتیاق شدیدی برای هر چه کوچکتر ساختن اجزاء مدار بوجود آورده است. شرایط بدعت و مصرف توان نیز طراحان را به استفاده از ابعاد کوچکتر متمایل میکند. لیتوگرافی نوری عامل محدود کننده فرآیند کاهش ابعاد است، اگر از نور فرابنفش برای تاباندن به لایه حساس به نور از طریق یک نقاب استفاده شود. حداقل پهنای خطوط در نهایت به دلیل آثار تفرقی یا پراش به چند طول موج محدود میشود.
برای مثال برای یک ماوراء بنفش به طول موج ۰٫۳۵ میکرو متر نباید انتظار داشت که پهنای خطوط کمتر از حدود ۱ میکرو متر باشد. بدیهی است که برای ابعاد هندسی زیر میکرونی لازم است که طول موجهای کوتاهتر به لایه حساس نور تابانده شود. بنابه قضیه دوبروی که طول موج یک ذره بطور معکوس با ممان تغییر میکند پس برای دستیابی به طول موجهای کوتاهتر باید ذرات سنگینتر یا فوتونهای پر انرژی در نظر گرفته شود. لکترونها ، یونها یا پروتوهای ایکس بهترین مورد در این خصوص هستند.
.
عایق سازی Isolon ati
یک مرحله مهم در فرآیند ساخت مدار مجتمع ایجاد عایق الکتریکی بین عناصر مدار است، اگر ترانزیستور دو قطبی روی یک تراشه ساخته میشود تمام نواحی کلکتور مشترک میبودند پس لازم است که بیشتر عناصر عایق سازی شده و سپس توسط الگوهای فلز کاری به یکدیگر متصل شوند. مثلا برای ترانزیستور n – p – n یک روش عایق سازی ، نفوذ الگویی از خندقهای نوع p در یک لایه رونشستی نوع n واقع در بستر از نوع p است. بستر نوع p پشتیبانی مکانیکی ساختار را بر عهده دارد و به همراه الگوی نفوذی نوع p نواحی عایق شده برای ماده نوع n را تعریف میکند.
چون هر قطعه را میتوان در جزیرهای از نوع n قرار داد، با نگه داشتن ماده بستر نوع p در منفیترین پتانسیل موجود در مدار ، عایق سازی خوبی بدست خواهد آمد. یک عیب این روش ظرفیت ذاتی موجود در پیوند نهایی عایق ساز p – n است. ظرفیت ایجاد شده بین دیوارههای جانبی ناحیه n و پیوندهای نفوذ داده شده را میتوان با استفاده از ترکیبهای مختلف عایق اکسیدی حذف کرد.
یک طرح عایق سازی که بویژه برای مدارهای با چگالی بالا مفید است در برگیرنده تشکیل چالههای نسبتا عمیق و پر کردن آن با پلی سیلیسیوم است. در این فرآیند یک لایه نیترید الگوسازی شده و به عنوان نقاب برای زدایش ناهمسانگرد سیلیسیوم به منظور تشکیل چاله بکار میرود. اکسایش داخل چاله تشکیل یک لایه عایق داده و بعد از آن با استفاده از روش نشست بخار شیمیایی چاله از پلی سیلیسیوم پر میشود
ساخت مقاومتها و خازنها بیرون از تراشه Si [i][u]
.
فرآیند لایه ضخیم
مقاومتها و الگوهای اتصالات داخلی روی یک بستر سرامیکی به روش سیلک اسکرین Silk Screen__ (نوعی سیستم چاپ که در آن روی چهار چوبی پارچه مخصوص توری کشیده میشود و طرح مورد نظر روی این پارچه پیاده میشود و با عبور رنگ در سوراخهای باز و بسته توری نقش دلخواه روی هر چه که بخواهیم چاپ میشوند) چاپ میشوند خمیرهای مقاومتی و هدایتی متشکل از پودرهای فلزی در شکل سازمان یافته روی بستر چاپ شده و در یک اجاق حرارت داده میشوند.
.
فرآیند لایه نازک
از دقت و کوچک سازی بیشتری برخوردار بوده و عموما در جایی که فضا اهمیت دارد ترجیح داده میشود الگوهای اتصال بندی و مقاومتهای لایه نازک را میتوان به روش خلا روی یک بستر سرامیکی شیشهای یا لعابی نشاند. لایههای مقاومتی معمولا از جنس تانتالیوم یا سایر فلزات مقاومتی بوده و رساناها نیز غالبا آلومینیوم یا طلا هستند.
.
مزایای مدارات مجتمع
معایب ناشی از اتصال لحیم کاری شده در مدارهای با قطعات مجزا به میزان بسیار زیادی کاهش مییابد.
بسیاری از عملیات مداری را میتوان در یک فضای کوچک جا داد، امکان بکار گیری تجهیزات الکترونیکی پیچیده در بسیاری از کاربردها که در آنها وزن و فضا اهمیت حیاتی دارد، نظیر وسایل نقلیه هوایی و فضایی وجود خواهد داشت.
.
زمان پاسخ و سرعت انتقال سیگنال بین مدارها
درصد قطعات مفید که در فرآیند تولید گروهی حاصل میشود، معمولا بر اثر وجود نقصهایی در پولک Si یا در مراحل ساخت قطعات معیوب نیز بوجود میآید.
معرفی لایه های نازک لایه های نازک دارای خواصی ویژه هستند که با خواص مواد مربوطه آنها در حالت حجمی به میزان قابل ملاحضه ای متفاوت است. این تفاوت به واسطه ابعاد فیزیکی ، شکل هندسی و ریزساختار آنها به وجود می آید. همچنین این ویژگیهای مشخصه لایه های نازک را می توان به میزان بسیار زیادی تغییر داده و به منظور حصول مشخصه های فیزیکی مورد نیاز و مطلوب تعدیل کرد. این ویژگیها پایه و اساس توسعه کاربرهای لایه های نازک در دستگاههای مختلف را تشکیل می دهند. از یک طرف کاربرها در ابعاد زیرمیکرونی هستند; برای مثال در مدارهای میکروالکترونیک با تجمع بسیار بالا ، دستگاههای تداخل کوانتومی پیوند جوزفسون حبابهای مغناطیسی و اپتیک تجمعی . از طرف دیگر لایه های نازک با سطح بزرگ به عنوان پوشش های گزیننده طول موج برای تبدیل حرارتی انرژی خورشیدی، سلولهای خورشیدی برای تبدیل فوتوولتایی، لایه های محافظ، لایه های غیر فعالسازی، ودرکاربرهای متعدد دیگری به کار برده می شوند. در حقیقت، بسیار مشکل خواهد بود که در بسیاری از دستگاه های اپتیکی و الکترونیکی مدرن ، لایه های نازک به کار نرفته باشند. با در نظر گرفتن مزایای متعدد لایه های نازک ، می توان به راحتی پیش بینی کرد که در آینده ای نه چندان دور، در اکثر موارد، عصر قطعات ساخته شده از مواد حجمی به سر رسیده و بیشتر دستگاهها منحصراً با استفاده از لایه های نازک ساخته شوند. 2- ویژگیهای لایه های نازک: موقعی گفته می شود که یک ماده جامد در شکل «لایه نازک» است، که به صورت لایه ای با ضخامت کم ، در روی یک نگهدارنده جامد (زیرلایه) از ابتدا به وسیله چگالش ذرات انفرادی(اتمی،مولکولی یا یونی) تشکیل شده باشد. این عمل ممکن است مستقیماً به وسیله یک فرایند فیزیکی (تبخیر- چگالش) و یا از طریق یک واکنش شیمیایی یا الکتروشیمیایی صورت پذیرد. بایستی تأکید شود که فقط ضخامت کوچک این لایه ها نیست که خواص ویژه و برجسته لایه های نازک را به وجود می آورد، بلکه ریزساختار این لایه ها، که از روش منحصر به فردِ تشکیل آنها به وسیله افزایش مداوم قطعات ساختمانی اولیه(اتمها، مولکولها یا یونها) یکی بعد از دیگری ناشی می شود، اهمیت بیشتری دارد. لایه هایی که با استفاده از یک پاشیده یا یک خمیر از ماده مورد نظر در روی یک زیرلایه (و سپس پختن و خشک کردن آن) درست می شوند، بدون توجه به ضخامت آنها ، به نام «لایه های ضخیم » نامیده شده و دارای خواصی مشخصاً متفاوت با «لایه های نازک» می باشند. در لایه های نازک انحراف از خواص حجمی ماده مربوطه، به واسطه ضخامت کم، نسبت سطح به حجم زیاد ، و ساختار فیزیکی ویژه لایه های نازک (که نتیجه مستقیمی از فرایند رشد آنهاست) می باشد. بعضی از پدیده ها که از پی آمد طبیعی ضخامت کم ناشی می شوند، عبارتند از : تداخل اپتیکی ، تونل زدن الکتریکی از میان یک لایه عایق، مقاومت ویژه بالا، ضریب حرارتیِ مقاومت کم، افزایش در میدان مغناطیسی بحرانی و دمای بحرانی ِ ابررساناها، اثر جوزفسون، و آهنربایی شدن سطح. نسبت سطح به حجم زیاد لایه های نازک ، که در نتیجه ضخامت کم و ساختار میکرونی آنهاست ، می تواند تعدادی از پدیده ها مانند جذب سطحی گاز ، پخش ، و فعالیت کاتالیزری را تحت تأثیر قرار دهد. 3- فرایندهای جایگذاری و رشد لایه های نازک: هر فرایند جایگذاری لایه نازک ، سه مرحله را شامل می شود: 1- تولید ذرات اتمی ، مولکولی، یا یونی مربوطه. 2- انتقال این ذرات به سطح زیرلایه از طریق یک واسطه. 3- چگالش در روی زیرلایه (به طور مستقیم، و یا از طریق یک واکنش شیمیایی یا الکتروشیمیایی) برای تشکیل یک لایه جامد. تشکیل یک لایه نازک از طریق «هسته سازی » و فرایند های رشد صورت می گیرد. تصویر عمومی فرایند رشد قدم به قدم را که از مطالعات تئوری و آزمایشات تجربی مختلف نتیجه گرفته شده ، می توان به شرح زیر ترسیم کرد: 1. هر ذره واحد، در هنگام برخورد به سطح زیرلایه، مولفه سرعت عمود بر سطح خود را از دست می دهد (به شرطی که انرژی برخوردی خیلی بالا نباشد) و به طور فیزیکی یا شیمیایی در روی سطح زیرلایه جذب سطحی می شود(البته امکان دارد که ذره در هنگام برخورد به سطح زیرلایه ، بلافاصله منعکس شده و به محیط برگردد، و یا پس از مدتی اقامت در روی سطح زیرلایه، تبخیر مجدد شود). 2. ذراتی که در روی سطح زیرلایه جذب سطحی می شوند ، در ابتدا با زیرلایه در تعادل حرارتی نمی باشند و در روی سطح زیرلایه حرکت می کنند ودر این فرایند ، آنها ممکن است با خودشان برخورد کرده و تشکیل مجموعه هایی را بدهند. 3. این مجموعه ها (که به نام «هسته» نیز خوانده می شوند) از نظر ترمودینامیکی ناپیدار بوده و ممکن است مجدداً از سطح جدا شوند (در مدت زمانی که بستگی به پارامترهای جایگذاری دارد). اگر پارامترهای جایگذاری به طریقی باشند که یک مجموعه با ذراتِ جذب سطحی شده دیگر برخورد کند(قبل از اینکه مجدداً از سطح تبخیر گردد)، این مجموعه شروع به رشد کرده و بزرگتر می شود. بعد از اینکه یک اندازه بحرانی معین حاصل شد، این مجموعه از نظر ترمودیناکی پایدار شده و گفته می شود که بر مانع (یا سد) هسته سازی غلبه حاصل شده است. این مرحله که شامل تشکیل هسته های پایدار ، جذب سطحی شده ، و با اندازه بحرانی می باشد ، به نام «مرحله هسته سازی» نامیده می شود. 4. در مرحله بعد ، این هسته های بحرانی از نظر تعداد و همچنین اندازه رشد پیدا می کنند تا این که یک چگالی هسته سازی اشباع حاصل شود(تعداد هسته ها به میزان مشخصی رسیده و دیگر زیادتر نشود). این چگالی هسته سازی و اندازه متوسط هسته ها بستگی به تعدادی از پارامترها مانند انرژیِ ذرات برخورد کننده ، آهنگ برخورد، انرژی های فعال سازی- جذب سطحی- گازپس دهی- و پخش حرارتی، و دما- توپوگرافی و طبیعت شیمیایی زیرلایه دارد.یک هسته می تواند به موازات سطح زیرلایه (به وسیله برخورد مستقیم ذرات برخورد کننده ) رشد پیدا کند(گرچه عموماً آهنگ رشد پهلویی در این مرحله خیلی بیشتر از آهنگ رشد قائم است. ) این هسته های رشد یافته به نام «جزیره » خوانده می شوند. 5. مرحله بعدی در تشکیل لایه نازک ، مرحله «به هم پیوستگی » است که در آن جزایر کوچک شروع به اتصال به یکدیگر کرده و در نتیجه ، ناحیه سطحی باز را کاهش می دهند.این تمایل برای تشکیل جزایر بزرگتر ، به وسیله افزایش تحرک سطحی ذرات جذب سطحی شده ، افزایش پیدا می کند. برای مثال ، با افزایش دما ، تحرک ذرات زیاد تر شده و به همپیوستگی افزایش می یابد. 6. جزایر رشد کرده به هم متصل می شوند . در نتیجه ، کانال ها و سوراخ هایی (که هنوز پوشانده نشده اند) در روی زیرلایه به وجود می آید. ساختمان لایه ، در این مرحله ، از نوع «جزیره ای ناپیوسته» به نوع«شبکه متخلخل» تغییر میکند. 7. در مرحله نهایی ، با پر شدن کانال ها و سوراخ ها ، یک لایه کاملاً پیوسته تشکیل می شود. بسته به پارامتر های ترمودینامیکی جایگذاری ، و بسته به شرایط سطح زیرلایه ، هسته سازی اولیه و مراحل بعدی رشد را می توان به فرم های الف) نوع جزیره ای ب) نوع لایه ای پ) نوع مرکب (که به نام نوع استرانسکی– کراستانوف نیز نامیده می شود) طبقه بندی کرد(شکل()). به جز در شرایط خاصی امتداد بلوری و جزئیات توپوگرافی (شکل شناسی) جزایر مختلف ، معمولاً به صورت اتفاقی توزیع شده است. در نتیجه موقعی که این جزایر به هم دیگر می رسند، مرز دانه ها ومعایب نقطه ای و خطی به جز در شرایط خاصی امتداد بلوری و جزئیات توپوگرافی (شکل شناسی) جزایر مختلف ، معمولاً به صورت اتفاقی توزیع شده است. در نتیجه موقعی که این جزایر به هم دیگر می رسند، مرز دانه ها ومعایب نقطه ای و خطی مختلفی(به واسطه جور نبودن امتدادها بلودی و پیکر بندی هندسی دانه ها) در داخل لایه نازک به وجود می آیند.
تداخل در لایه های نازک روشهای دقیق اندازه گیری ضخامت لایه را به دست داد و کاربردهایی در اپتیک و شاخه های دیگر یافت . کاربر صافیهای پادبازتاب و پوششهای تزئینی مجتلف که در آنها از تداخل رنگها استفاده می شود ، مثلاً در تولید جواهرها ، امروز به خوبی شناخته شده است .
تهیه لایه های نازک به روشهای انباشت در خلا ، یعنی به وسیله ی کندوپاش کاتدی و تبخیر در خلا ، بخش کوچکی از فیزیک لایه های نازک است .
مطالعه ی کشش سطحی مایعات به بررسی لایه های تک مولکولی اجسام آلی روی سطح مایع توسعه یافته است ، که عملاً در بررسی فرایندهای بیوشیمیایی و فیزیولوژیکی مختلف اهمیت دارد . به علاوه ، مطالعه ی نیروهای سطحی در لایه های نازک اجسام آلی در مکانیک اصطکاک هم نقش بازی می کند .
مهارت در فناوری تولید قطعات نیمرساناس فعال ، یعنی ترانزیستورهای ساخته شده از تک بلورهای ژرمانیم و به ویژه سیلیسیم ، به تولید مدارهای یکپارچه انجامیده است . این مدارها به دو روش تولید می شوند . در روش اول ، قطغات مجزا توسط یک فناوری نیمرسانایی مشترک ساخته می شوند و بعد آنها را با لایه های فلزی نازکی که به یکی از روشهای تبخیری یا کندوپاشی انباشه می شوند به یکدیگر متصل می کنند . در روش دوم ، همه ی اجزا در بلور ساخته می شود و اتصال آنها از طریق ماده ی بلور که رسانایی تغییر یافته ی مناسبی دارد برقرار می شود .
کاربرد لایه های نازک امکانات جدیدی را برای میکروریزه ساختن اتصال قطعات منفرد ، و نیز تهبه خود اجزا اعم از فعال و نافعال فراهم آورده است . این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد ( از دیدگاه ماکروسکوپی ) تقریباً صفر است ، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیر لایه که فرایند انباشت روی آن انجام می گیرد تعیین می شود . مزیت قابل چنین سیستمی هم این است که کُل سیستم را می توان بر اساس یک فناوری با ثبات لایه نازک تهیه کرد .
بررسی مشروح ساختار لایه های نازک و فرایندهای دخیل در تشکیل آنها با دو روش فیزیکی ، یعنی استفاده از میکروسکوپ الکترونی و پراش – الکترون امکان پذیر شده است. میکروسکوپ الکترونی نه تنها ما را قادر به مطالعه ریخت لایه ها می سازد . بلکه فرایند تشکیل لایه به روش رونشانی را نیز مستقیماً در میدان دید ما می آورد .
ساخت پیوندهای p-n : پیوندهای رشد یافته : یکی از روشهای اولیه ساخت پیوند ، روش پیوند رشد یافته است . در این روش حین رشد بلور رشد ناخالصی در ماده مذاب به صورت ناگهانی عوض میشود این روش ابتدایی رشد پیوند توسط روشهای انعطاف پذ یرتری که در آنها پیوند بعد از رشد بلور ایجاد می شود جایگزین شده است . البته یک استثناء مهم در این مورد رشد رو نشستی پیوندهای p-n است که بطور گسترده در مدارهای مجتمع و سایر کاربردها استفاده می شود .
پیوندهای آلیاژی : یک روش مناسب برای ساخت پیوندهای p-n الیاژ کردن یک فلز حاوی اتمهای ناخالصی روی نیمه رسانائی با ناخالصی مخالف است . این روش در دهه 1950 برای تولید د یور و ترانزیستور مورد استفاده قرار گرفت .به این منظور نمونهای که جهت آلیاژ انتخاب شده با ماده مورد نظر پوشش داده میشود و بعد از حرارت ، منطقه مذاب ایجاد می شود . با کاهش دما ناخالص ماده پائین می آید و در مرز مشترک یک ناحیه د وباره رشد یافته از بلور ناخالص تشکیل می شود .
پیوندهای نفوذی : در دهه 1960 روش نفوذی بعنوان یکی از متداولترین روشهای تشکیل پیوند p-n جایگزین روش آلیاژی شد . نفوذ ناخالصیها در یک جامد بر حسب باربرهای اضافی است . نفوذ نتیجه حرکت تصادفی اتمها بوده و ذرات در جهت کاهش شیب تراکم ناخالصی نفوذ می کنند ابته در اینگونه موارد دما بالاست . بنابراین نفوذ ناخالصی های آلینده در یک نیمه رسانا بسیاری از اتمهای نیمه رسانا را از جای خود در شبکه خارج کرده و مکانهای خالی ایجاد می کند که توسط ناخالصی ها پر می شود. و بعد از سرد شدن بلور در آنها می مانند.
ديود زنر
در مدارات الكترونيك در باياس معكوس يا منفي بسته مي شود. ديود زنر تثبت كننده ولتاژ در باياس معكوس است. اين ديودها در مدارات الكترونيك به منظور تثبيت ولتاژ در قسمتهاي مختلف مدار به كار مي رود.
به عنوان مثال اگر در يك مدار الكترونيكي نياز به ولتاژ هاي 6/5 يا 2/8 يا 3/3 ولت داشته باشيم و منبع تغذيه ما 12 ولت باشد مي توانيم از اين نوع ديود استفاده كنيم.
اين نوع ديود ها بر حسب ولتاژ شناخته و تهيه مي شوند. (البته طرز قرار گرفتن آنها در مدارات نياز به آشنايي با طراحي مدارات الكترونيك دارد) برخي از رنج هاي متدال ديودهاي زنر عبارتند از:
2 – 2.2 – 2.7 – 3.3 – 3.9 – 4.7 – 5.1 – 6.8 – 8.2 – 10 – 12 – 14 – 16 – 18 – 24 – 26 – 36 - … - 90 – 110 ولت
برخي از توان هاي ديود زنر:
1.8 – 1.4 – 1.2 – 1 – 2 – 3 – 5 – 10 – 20 - …75 وات

قیمت: 0.75 دلار برای 30CTT045 و 1.65 دلار برای 60CPT045
شركت ویشای یك موسفت قدرت و دیود شاتكی یكپارچه ی 30 ولتی را در بسته بندی PolarPAK عرضه كرده است كه امكان خنك سازی از هر دو طرف بالا و پایین را در سیستم های با خنك سازی هوای بافشار ایجاد می كند.
به گزارش خبرگزاری برق، الكترونیك و كامپیوتر ایران (الكترونیوز) و به نقل از پاورالكترونیكس، SiE726DF دارای حداكثر مقاومت حالت روشن 0.0024 اهم با درایو 10 ولت در گیت می باشد و توانایی تحمل سطوح جریانی 50 درصد بالاتر از SO-8 را در همان مساحت و بدون وجود هیتسینك دارد.
نوع قطعه: موسفت قدرت با كانال n
نرخ ولتاژ (VDS): سی ولت
مقاومت روشن (RDSON): حداكثر 0.0024 اهم با VGS=10 V یا حداكثر 0.0033 اهم با VGS=4.5 V
بار گیت (QG): برابر با 105 نانوكولن با VGS=10 V و ID=20 A و VDS=15 V
بار بازیافت معكوس بدنه دیود (QRR): برابر با 30 نانوكولن و حداكثر 45 نانوكولن
ولتاژ بدنه دیود (VSD): برابر با 0.37 ولت در IS=2 A
نرخ جریان (ID): محدودیت بسته بندی برابر است با 60 آمپر و در حالت قرار گرفته روی بورد 1 اینچی FR-4 برای t=10 ثانیه در دمای 25 درجه سلسیوس برابر است با 35 آمپر
محدوده ی عملكرد دمایی (TJ): بین -50 درجه سلسیوس تا 150 درجه سلسیوس
بسته بندی: PolarPAK به صورت كپسولی 5 در 6 میلی متری 10 پین
سازگاری با RoHS: بله
موارد كاربردهای هدف: سوئیچ كنترل لبه ی پایین در مبدل های dc-dc همزمان یكسوشده و VRM ها در كارت های گرافیك، سرورها و سیستم های ارتباطات راه دور
در مقاله های قبل به صفحات LCD و پلاسما و CRT اشاره کردیم. گفتیم که LCD ها قیمت مناسبی دارند، به راحتی در هر جایی می توان از آن ها استفاده کرد، کیفیت تصویر آن ها بالاست و ساختار صفحه آن ها شفاف و باریک است.
این اصطلاح از "دیود ساطع کننده نور" یا Light Emitting Diode برگرفته می شود. آخرین تکنولوژی در ساخت تلویزیون ها یا به عبارت دیگر، " نسخه پیشرفته صفحات LCD، " LED ها هستند. صفحات LED به جای لامپ های فلوئورسنت کاتدی سرد که در صفحات LCD از آن ها استفاده می شود، از نور پس زمینه دیود ساطع کننده نوری استفاده می کنند.
از نظر تکنیکی، تلویزیون های LCD و LED هر دو از صفحه نمایش کریستال مایع استفاده می کنند؛ تفاوت اصلی بین این دو در نور پس زمینه آن هاست.
LCD شامل دو لایه پلاریزه (قطبیده) شیشه ای است که توسط بلورهای مایع موجود در یکی از لایه ها به هم چسبیده اند. زمانی که جریان الکتریکی از میان این بلورها عبور می کند، به منظور تولید تصاویر روی صفحه، نور را از خود عبور می دهند یا جلوی آن را می گیرند.
|
ساختار یک واحد نمایشگر و سلول نمایشگر LCD که از نور پس زمینه چند رنگ و هدایت نوری و LED های نصب شده در لبه
|
LED معمولا دو شکل عمده ای از نور پس زمینه به نام های نور حاشیه و کم کننده نور موضعی یا نوردهی منظم را داراست. نور حاشیه باعث می شود که در هر ترکیب بسیار نازکی از LED، در اطراف حاشیه صفحه تصویر وجود داشته باشد.در این نور پس زمینه، مجموعه ای از دیودها در راستای لبه های خارجی صفحه نمایش قرار می گیرند. زمانی که برق وجود داشته باشد، نور در کل صفحه پخش می شود. در کم کننده نور پس زمینه موضعی، انبوهی از نورهای LED در پشت صفحه وجود دارند که می توانند برای کم کردن مقدار نور پس زمینه در نواحی تاریک و افزودن روشنایی در مناطق روشن برای بهبود کیفیت تصویر به کار روند. یعنی چندین ردیف دیود کنترل کننده روشنایی و تضعیف نور در کل قسمت پشتی صفحه نمایش وجود دارند که می توانند به طور مستقل از هم، روشن و خاموش شوند.

هیچ شکی نیست که LED نسبت کنتراست بهتری نسبت به LED دارد (کنتراست به معنای اختلاف شدت روشنایی بین اجزای مختلف یک تصویر است). این برتری به علت نواحی سیاه روی صفحه است و این که راه عبورکدام نور پس زمینه توسط دوران و چرخاندن بلورهای صفحه نمایش، مسدود شده است. راه انداز اصلی برای LED، کم کننده موضعی است که با کم کردن نور پس زمینه، منطقه سیاهی روی صفحه نمایش تولید می کند و باعث می شود جزئیات تصویر با نسبت کنتراست خوبی حاصل شود.
تفاوت بین دو تکنولوژی LED و LCD آن چنان واضح نیست اما LED به دلیل نورهای رنگی RGB (Red-Green-Blue) یا چرخه رنگی بر LCD برتری دارد و نور پس زمینه را تحت تأثیر قرار می دهد.

اگر صفحه نمایش، زاویه دید عریض تر (تقریبا بیش تر از ٣٠ درجه) دور از مرکز داشته باشد، نسبت کنتراست LCD کم تر می شود؛ اما در مورد LED چنین اتفاقی نمی افتد.
صفحات LCD: از ١٥ اینچ تا ٦٥ اینچ
صفحات LED: از ١٧ اینچ تا ٧٠ اینچ
نمایش دادن سریع ویدئویی به زمان عکس العمل و مدت زمان ظاهر شدن یک تصویر جدید در تلویزیون های LCD و LED بستگی دارد. اما LED زمان عکس العمل سریع تری دارد که بر محو شدن و تاری تصاویر مخصوصا ویدئوهایی که سرعت عمل آن ها بالاست، غلبه می کند.
صفحه نمایش کم کننده نور در LED، برق بیش تری نسبت به LCD مصرف می کند. اما در صفحه نمایش LED با نور پس زمینه حاشیه، مصرف برق نسبت به صفحه LCD با همان ابعاد، کم تر است.
جمع بندی:
تلویزیون های LED همان تلویزیون های LCD اند و می توان گفت که به دلیل استفاده از سیستم جدید نور پس زمینه در LED ها ، این تلویزیون ها نسخه جدیدتر LCD ها هستند.
تلویزیون LED از دیودهای ساطع کننده نور استفاده می کند؛ در حالی که تلویزیون LCD از لامپ های فلوئورسنت استفاده می کند. اما هر دوی این تلویزیون ها از تکنولوژی صفحه نمایش بلور مایع استفاده می کنند. تفاوت اصلی این تلویزیون ها در قسمت پشتی آن ها و نور پس زمینه آن ها است.
بلور هسته قرار دارد، و چند میلیمتری از هسته غوطه ور در مذاب نیز ذوب می شود. این هسته با سرعت ثابتی چرخانده می شود و همزمان به آرامی از مذاب بیرون کشیده می شود، بدین سان یک بلور نوع n تشکیل شده است. با کنترل دقیق این فرایند می توان به غلظت نا خالصی مورد نیاز دست یافت.
قرصی از ایندیم در یک پولک ژرمانیم قرار می دهند و به آن دمای با لاتر از نقطه ذوب ایندیم ولی پایین تراز نقطه ذوب ژرمانیم حرارت داده می شود. اينديم ذوب مي شود و ژرمانيم را حل مي كند تا اينكه محلول اشباح شده از ژرمانيم در اينديم به دست آيد. سپس پولك به آرامي سرد مي شود و در خلال سرد شدن يك ناحيه ژرمانيم نوع p در پولك توليد شده و آلياژي از ژرمانيم و اينديم (عمدتاً اينديم) در پولك ته نشين مي شود. پيوند p-n آلياژ سيليسيم را نيز مي توان با همين روش و با بكارگيري آلومينيوم به عنوان پذيرنده، تشكيل داد.
ژرمانيم نوع p تا دماي خيلي نزديك به نقطه ذوب ژرمانيم گرم مي شود، و پيرامون آن را عنصر بخشنده آنتيموان كه گازي شكل است فرا مي گيرد. اتم هاي آنتيموان در ژرمانيم پخش مي شود تا يك ناحيه نوع nرا توليد كند. اگر از يك بلور نوع n استفاده شود، گاليوم گازي شكل به عنوان عنصر پذيرنده براي تهيه ناحيه نوع p در بلور بكار مي رود. وقتي قرار است وسيله اي سيليسيمي ساخته شود، از بور به عنوان عنصر پذيرنده و از فسفر به عنوان عنصر بخشنده استفاده مي شود.
ديود پيوندي شامل بلوري است كه هم داراي ناحيه نوع p و هم ناحيه نوع n است. ديود هاي پيوندي يا از ژرمانيم ساخته مي شود و يا از سيليسيم، اولي داراي مزيت مقاومت مستقيم كمتر و دومي از مزيت داشتن ولتاژ شكست بيشتر و جريان اشباع معكوس كمتر برخوردار است. اتصال به پيوند با سيمهايي كه به هر يك از اين دو ناحيه وصل شده، برقرار مي شود. معمولاً براي جلوگيري از نفوذ رطوبت كل وسيله را در محفظه اي بسته قرار مي دهند.
ديودهاي اتصال- نقطه اي
اصولاً ديود اتصال- نقطه اي از يك قرص ژرمانيم نوع n كه نوك يا سبيلهايش، از سيم تنگستني است و بر رويه آن فشرده مي شود، تشكيل يافته است. اتصال به سبيل از طريق دو سيم مسي انجام مي شود در خلال ساخت ديود اتصال- نقطه اي، يك تپ جريان از ديود عبور مي كند و باعث مي شود كه در مساحتي از قرص و درست در مجاورت نوك سبيل يك ناحيه نوع p تشكيل شود. در اين حالت پيوند n-p كه ظرفيت در قرص ايجاد شده است.
انواع ديودها و كاربرد آن ها
پارامترهاي مهم ديودهاي نيمرسانا عبارتند از :
1- مقاومت هاي a.c. مستقيم و معكوس.
2- جريان مستقيم حداكثر.
3- ظرفيت پيوند.
4- فعاليت در ناحيه شكست.
انواع اصلي ديود كه در مدارهاي الكترونيكي جديد بكار مي روند، عبارتند از :
1- ديودهاي سيگنالي.
2- ديودهاي توان.
3- ديودهاي زنر.
4- ديودهاي با طرفيت متغير (وركتور).
1. ديودهاي سيگنالي
اصطلاح ديود سيگنالي تمامي ديودهايي را در بر مي گيرد كه در مدارهايي كه مقادير اسمي زياد جريان يا ولتاژ نياز نيست بكار مي روند. شرايط معمولي عبارتند از نسبت بزرگ مقاومت معكوس به مقاومت مستقيم و حداقل ظرفيت پيوند. برخي ديودهاي موجود در بازار از انواعي هستند كه كاربردهاي آن دارند، ديودهاي ديگري از اين نوع يافت مي شوند كه كاربردهاي مداري خاص، مثلاً، آشكار ساز، امواج راديويي، يا كليدالكترونيكي در مدارهاي منطقي بسيار مناسبند. حداكثر ولتاژ معكوس، يا ولتاژ معكوس قله، كه معمولاً از ديود انتظار ارائه آن مي رود معمولاً خيلي بالا نيست، حداكثر جريان مستقيم هم بالا نيست. بيشتر انواع ديود سيگنالي داراي ولتاژ معكوس قله اي در گستره v30 تا v 150 و حداكثر جريان مستقيم در حدود بين 40 وmA250 است. ولي اخيراً مي توان به مقادير بالاتري دست يافت.
2. ديودهاي توان
ديودهاي توان را غالباً براي تبديل جريان متفاوب به جريان مستقيم، مانند يك سوسازها، بكار مي برند. پارامترهاي مهم ديود توان عبارتد از ولتاژ معكوس قله، حداكثر جريان مستقيم و نسبت مقاومت. ولتاژ معكوس قله احتمالاً دست در گستره V50 تا V1000 است با حداكثر جريان مستقيم كه شايد A30 است. مقاومت مستقيم بايد تا حد امكان پايين باشد تا از افت چشمگيري در ولتاژ دو سر ديود وقتي كه جريان مستقيم زيادي جريان دارد جلوگيري مي كند؛ معمولاً اين مقاومت خيلي بيشتر از يك يا دو اهم نيست.
3. ديودهاي زنر
جريان معكوس بزرگي كه در هنكام در گذشتن ولتاژ دو سر ديود از ولتاژ شكست ديود، جاري مي شود لزوماً نبايد باعث آسيب رساندن به وسيله شود.
ديود زنر چنان ساخته شده است كه به آن امكان مي دهد در بدون خراب شدن، در ناحيه شكست كار كند، به شرط آن كه جريان از طريق مقاومت خارجي به يك مقدار مجاز محدود شود. جريان زياد در ولتاژ شكست يا دو عامل، به نام اثر زنر و اثر بهمني، فراهم مي آيد در ولتاژهايي تا حدود V5 ميدان الكتريكي نزديك به پيوند چندان شديد است كه مي تواند الكترونها را از پيوند كوالانسي كه اتم ها را كنار هم نگاه مي دارد بيرون بكشد. زوجهاي حفره- الكترونهاي اضافي توليد مي شوند و اين زوج ها براي افزودن جريان معكوس در دسترسند. اين اثر ر ا اثر زنر مي نامند.
اثر بهمني وقتي پيش مي آيد كه ولتاژ پيش ولت مخالف بيش از V5 يا در همين حدود باشد. سرعت حركت حاملين بار از ميان شبكه بلور چندان افزايش مي يابد كه اين بارها به اندازه كافي داراي انرژي جنبشي شوند كه اتم ها را در اثر برخورد يونيده كنند. اتمي را يونيده گويند كه يكي از الكترونهاي خود را ازدست داده باشد. بدين سان حاملين بار اضافي توليد شده از ميان شبكه بلور عبور مي كنند و ممكن است با ساير اتم ها نيز برخورد كرده و حتي از طريق يونش حاملين بيشتري ايجاد كنند. در اين روش تعداد حاملين بار، و در نتيجه جريان معكوس، به سرعت افزايش مي يابد.
ديودهاي زنر با ولتاژهاي مرجع استاندارد شده متعددي قابل دسترسند. مثلاً، مي توان بهديود زنري با يك ولتاژ (شكست) مرجع V2/8 دست يافته. نام ديگر اين وسيله ديود مرجع ولتاژ است. رايج ترين كاربرد ديود زنر در مدارهاي پايدارنده ولتاژ است اين نوع ديود را به عنوان مرجع ولتاژ نيز بكار مي برند.
3 ترانزيستور
انواع ترانزيستور
ترانزيستور وسيله اي نيمرساناست كه مي تواند سيگنال الكتريكي را تقويت كند، به عنوان كليد الكترونيكي عمل كند، و عملكردهاي متعدد ديگري داشته باشد. اساساً ترانزيستور شامل يك بلور ژرمانيم يا سيليسيم و حاوي سه ناحيه مجزا است. اين سه ناحيه ممكن است دو ناحيه نوع p باشد كه يك ناحيه نوع n از آنها را جدا كرده است يا دو ناحيه نوع n كه با يك ناحيه نوع p از هم جدا شده اند. نوع اول، ترانزيستور p-n-p و نوع دوم ترانزيستور نوع n-p-n است، كاربرد اين هر دو نوع ترانزيستور متداول است، و گاهي هم هردو در يك مدار واحد مورد استفاده قرار مي گيرند، ولي بحث ما در اين فصل درباره ترانزيستور نوع p-n-p است. اما براي عملكرد مربوط به ترانزيستور n-p-n لازم است حفره را به جاي الكترون، الكترون را به حاي حفره، منفي را به جاي مثبت و مثبت را به جاي منفي بخوانيم.
ميانه سه ناحيه ترانزيستور بيس (پايه) و دو ناحيه بيروني اميتر (گسيلنده) و كلكتور گردآور ناميده مي شود. در اغلب ترانزيستورها ناحيه كلكتور از نظر فيزيكي بزرگتر از ناحيه اميتر ساخته مي شود، چون انتظار مي رود ناحيه توان بيشتري را تلف كند. نماد ترانزيستور p-n-p در شكل(الف) و نماد ترانزيستور در شكل (ب) نموده شده است. توجه كنيد كه سر پيكان سيم اميتر در دو شكل با جهتهاي مختلفي نشان داده شده است، كه در ترانزيستور n-p-n به خارج نشانه رفته اند. بزودي مشخص خواهد شد كه سر پيكان جهت حركت حفره ها را در داخل اميتر نشان مي دهند.
|
اميتر |
|
بيس |
|
كلكتور |
|
بيس |
|
اميتر |
|
(ب) |
|
كلكتور |
|
(الف) |
طرز كار ترانزيستور
ترانزيستور p-n-p شامل دوپيوند p-n است و معمولاً طوري كا ر مي كند كه يك پيوند، پيوند اميتر- بيس با پيش ولت موافق، و ديگري، پيوند كلكتور - بيس، با پيش ولت مخالف است. اين نكته را همراه با جهت جريانهاي گوناگوني از ترانزيستور مي گذرند. قرارداد متداولي كه بنا بر آن جهت جريان مخالف جهت حركت الكترونهاست به كار گرفته شده است.
توجه كنيد كه، در ابندا، ولتاژ اميتر- بيس، Eeb ، صفر است بنابراين اين جريان حامل بار اكثريتي كه از پيوند اميتر- بيس مي گذرد برابر است با جريان حامل باراقليتي جاري جهت مخالف و جريان خالص پيوند صفر است. پيوند كلكتور- بيس به وسيله ولتاژ پيش ولت Eeb به پيش ولت معكوس تبديل مي شود و از اين رو يك جريان حامل بار اقليتي از سيم كلكتور مي گذرد. اين جريان، جريان اشباع معكوس است كه در فصل پيش مورد بحث قرار گرفت ولي اكنون جريان نشتي كلكتور ناميده شده با نماد ICBO نموده مي شود.
اگر ولتاژ پيش ولت اميتر - بيس در جهت مثبت به اندازه چند دهم ولت افزايش يابد، پيوند اميتر- بيس با پيش ولت موافق بوده و يك جريان حامل بار اكثريتي جاري مي شود. اين جريان شامل حركت انقالي حفره ها از اميتر به بيس و گذر الكترونها از بيس به اميتر است. فقط جريان حفره ها براي كار ترانزيستور مفيد است، كه اين نكته بزودي روشن خواهد شد، و بنابراين از طريق آلايش بيس، كه خيلي دقيق تر از آلايشي است كه در اميتر انجام مي گيرد، اين جريان را از جريان الكترون خيلي بيشتر مي كنند. نسبت جريان حفره به كل جريان اميتر را نسبت تزريق اميتر يا كارايي اميتر مي نامند، و با نماد نشان مي دهند. معمولاً، تقرباً برابر 995/0 است و به اين معناست كه فقط 5/0% جريان اميتر شامل عبور الكترون از بيس به اميتر است.
حفره ها فوراً ازپيوند اميتر- بيس مي گذرند، و گفته مي شود كه به درون بيس گسيليده يا تزريق شده اند، و به حاملين بار اقليتي تبديل شده و پخش شدن در عرض بيس به سوي پيوند بيس- كلكتور را آغاز مي كنند. از آنجا كه بيس بسيار باريك بوده و نيز رقيق آلاييده شده است، اكثر حفره هاي گسيليده به پيوند كلكتور- بيس مي رسند و بار الكترون آزاد بر سر راه خود باز تركيب نمي شوند. حفره هاي گسيليده با رسيدن به پيوند، جريان حامل بار اقليتي را افزايش داده و از پيوند عبور كرده و ماية افزايش جريان كلكتور مي شود. نسبت تعداد حفرههاي وارده به كلكتور به تعداد حفره هاي گسيليده عامل انتقال بيس، با نماد β، ناميده مي شود. معمولاً: 995/0=β.
1- جريان كلكتور كمتر از جريان اميتر است زيرا: (الف) بخشي از جريان اميتر شامل الكترونهايي است كه در جريان كلكتور شركت ندارند و (ب) تمام حفره هاي تزريق شده به بيس موفق نمي شوندبه كلكتور برسند. عامل (الف) با نسبت تزريق اميتر و عامل (ب) با ضريب انتقال بيس نموده مي شود؛ بدين سان نسبت جريان كلكتور به جران اميتر برابر است با γβ با نشاندن مقادير معمولي ذكر شده براي γ و β روشن مي شود كه معمولاً، جريان كلكتور تقريباً 99/0 برابر جريان اميتر است.
2- جريان بيس كوچك بوده و سه مؤلفه دارد: (الف) يك جريان الكترون ورودي به بيس براي نشاندن حفره هاي پخش به جاي الكترونهاي از دست رفته از طريق تركيب مجدد، (ب) جريان الكترون حامل بار اكثريتي جاري شده از بيس به اميتر، و (ج) جريان نشتي كلكتور، ICBO. دو مؤلفه اول جريانهايي هستند كه به خارج از بيس جاري شده و روي هم رفته از ICBO كه به داخل بيس جاري مي شود بزرگتر است، از اينرو كل جريان بيس، به خارج از بيس جاري مي شود. كل جريان جاري شده به درون ترانزيستور بايد برابر كل جريان خارج شده از آن باشد و از اينرو جريان اميتر، IE ، برابر است با مجموع جريانهاي كلكتور و بيس، به ترتيب Ic و Ib .
3- اگر جريان اميتر به هر وسيله اي تغيير كند، تعداد حفره هاي ورودي به كلكتور، و در نتيجه جريان كلكتور و نيز به همان ترتيب تغيير مي كند. مقدار ولتاژ كلكتور- بيس، Vcb تأثير نسبتاً ناچيزي بر جريان كلكتور دارد، كه به زودي به اين، نكته خواهيم رسيد. بنابراين، كنترل جريان خروجي (كلكتور) را مي توان از طريق جريان ورودي به اميتر انجام داد و اين جريان نيز به نوبه خود، مي تواند با تغيير ولتاژ پيش ولت اعمال شده به پيوند اميتر- بيس كنترل شود. افزايش ولتاژ پيش ولت (كه در جهت مستقيم است) ارتفاع سد پتانسيل را كاهش داده و جاري شدن جريان اميتر بيشتر را ممكن مي كند؛ برعكس، كاهش ولتاژ پيش ولت جريان اميتر را كاهش مي دهد.
4- نسبت جريان خروجي ترانزيستور به جريان ورودي آن در غياب يك سيگنال a.c. بهره جريان D.C. ترانزيستور ناميده مي شود. در بحث پيشين جريان خروجي جريان كلكتور، Ic ، و جريان ورودي جريان اميتر، Ie، بوده است.
علامت منفي نشانه اين است كه جريانهاي ورودي و خروجي در جهت هاي مخالف جاري مي شوند. بنابر قرارداد، جرياني كه به ترانزيستور وارد مي شود مثبت و جرياني كه از آن خارج مي شود منفي است. از آنجا كه كار ترانزيستور به حركت حفره ها و الكترونها، هر دو، بستگي دارد در واقع بايد اين وسيله را «ترانزيستور دو قطبي» ناميد.
5- ترانزيستور را مي توان به يكي از سه روشي در يك مدار وصل كردكه در هر حالت يك الكترود در ورودي و خروجي مشترك است. از اين رو چنين اتصالي به نام الكترود مشترك توصيف مي شود؛ مثلاً، در اتصال بيس- مشترك، بيس هم در ورودي و هم در خروجي مشترك است، سيگنال ورودي بين اميتر و بيس تغذيه مي شود، و سيگنال خروجي بين كلكتور و بيس ظاهر مي شود. در تمام اتصالات، پيوند بيس- اميتر همواره با پيش ولت موافق و پيوند كلكتور - بيس پيوسته با پيش ولت مخالف است.
اتصال بيس- مشترك
آرايشي اساسي اتصال (يا پيكر بندي) بيس- مشترك ترانزيستور داراي منبع تغذيه متناوب نيروي محركه الكتريكي با (e.m.f.) برابر Es ولت مقدار مؤثر (r.m.s) و مقاومت داخلي Rs اهم است كه به دو سر ورودي آن وصل شده است. منبع تغذيه متناوب با ولتاژ اميتر- بيس، Eeb به طور متوالي اتصال دارد و پيش ولت موافق اعمال شده به پيوند اميتر- بيس را تغييرمي دهد.
در خلال نيم چرخه هاي مثبت e.m.f. منبع تغذيه، پيش ولت موافق اعمال شده به پيوند افزايش مي يابد، سد پتانسيل كاهش يافته و جريان افزايشي اميتر در ترانزيستور جاري مي شود. بر عكس، در خلال نيم چرخه هاي منفي جريان اميتر كاهش مي يابد و به اين ترتيب مايه تغيير جريان كلكتور بر طبق شكل موج منبع متناوب مي شود. باتري پيش ولت كلكتور- بيس، Ecb ، مقاومت داخلي ناچيزي دارد و بنابراين ولتاژ كلكتور- بيس با تغيير جريان كلكتور ثابت مي ماند. تا آنجا كه به جريانهاي متناوب مربوط است، مدار كلكتور- را مدار اتصال كوتاه مي گويند.
در يك مدار تقويت كننده بيس - مشترك يك پارامتر مهم بهره جريان مدر اتصال كوتاه ترانزيستور با نماد hfb است. بهره جريان مدار اتصال كوتاه به صورت نسبت تغيير جريان كلكتور به تغيير جريان اميتر توليد كننده ان تعريف مي شود.
بهره جريان مدار اتصال كوتاه به اين جهت تصريح مي شود كه تحليل نشان مي دهد كه بهره جريان تابعي است از مقدار مقاومتي كه در مدار كلكتور قرار مي گيرد. اما، براي مدار بيس- مشترك، اختلاف بين بهره جريان مدار اتصال كوتاه و بهره جريان براي هر مقاومت بار كلكتور ويژه به ازاي تمام مقادير مقاومت به كار رفته در مدارهاي عملي بسيار كوچك بوده و در اين كتاب از آن چشم مي پوشيم.
پيونداميتر - بيس به وسيله باتري Ebe با پيش ولت موافق بوده و پيوند كلكتور - بيس از طريق پتانسيلي برابر (Ebe - Ece) با پيش ولت مخالف است. اما، چون ولتاژ باتري پيش ولت كلكتور - اميتر Ece بسيار بزرگتر از ولتاژ پيش ولت اميتر- بيس Ebe است، ولتاژ پيش ولت مخالف را مي توان صرفاً برابر Ece ولت گرفت.
وقتي كه ترانزيستوري با اين روش وصل شده باشد، جريان ورودي همان جريان بيس است و ديگر مانند پيش جريان اميتر نخواهد بود. در خلال نيم چرخه هاي منفي ولتاژ سيگنال ورودي Es ، پيش ولت موافق پيوند اميتر- بيس افزايش مي يابد، و بدينسان جريان اميتر، Ie، به اندازه Ic δ افزايش پيدا مي كند. جريان كلكتور نيز به اندازه= hfbΔie Ic δ فزوني مي گيرد.
مشخصه هاي ايستايي ترانزيستور
نمودارهاي جريان- ولتاژ زيادي براي مطالعه طرز كار ترانزيستور در مدار در دسترسند. منحنيهاي حاصل كه منحني هاي مشخه ايستايي نام دارند، اطلاعاتي را درباره مقدار جريان جاري به داخل يا به خارج از الكترود به ازاي هر جريان مشخص جاري به داخل يا به خارج از الكترود ديگر و يا ولتاژ مشخصي بين دو الكترود بدست مي دهند. براي هر مدار مي توان 4 مجموعه منحني مشخصه رسم كرد: (الف) مشخصه ورودي (ب) مشخصه انتقال، (ج) مشخصه خروجي، و (د) مشخصه متقابل. ولي، در اين كتاب مشخصه مدار كلكتور - مشترك مورد بحث قرار نمي گيرد.
مشخصه استايي بيس- مشترك
روش تعيين مشخصه هاي ايستايي ترانزيستور اينست كه ترانزيستور را به يك مدار مناسب ببنديم و سپس جريان ها و يا ولتاژهاي مناسب را در چند مرحله جداگانه تغيير دهيم، و مقادير متناظر ساير جريانها را در هر مرحله يادداشت كنيم.
جريانهاي كلكتور و بيس جاري به خارج از ترانزيستوراند و در اين صورت بنا به تعريف منفي نشان داده مي شوند؛ جريان اميتر جاري به داخل ترانزيستور نشان داده شده و بايد مثبت گرفته شود. اگر قرار باشد مشخصه هاي ترانزيستور n-p-n را اندازه گيري كنيم، بايد قطبيت دو باطري وارونه شود.
مشخصه خروجي بيس - مشترك
مشخصه خروجي نحوه تغيير جريان كلكتور را نسبت به تغيير ولتاژ كلكتور- بيس باثابت نگاه داشتن جريان اميتر نشان مي دهد. جريان اميتر در يك مقدار كم مناسب نگاه داشته مي شود و ولتاژ كلكتور بيس در چندين مرحله مجزا از صفر افزايش مي يابد و در هر مرحله جرياني كه از كلكتور مي گذرد يادداشت مي شود. آنگاه ولتاژ كلكتور- بيس را به صفر برمي گردانند و جريان اميتر را تا مقدار مناسب ديگري افزايش مي دهند و همين روش كار را تكرار مي كنند. در اين روش مي توان به يك خانواده كامل منحني هاي مربوط به جريان كلكتور برحسب ولتاژ كلكتور- بيس دست يافت. مشخصه هاي خروجي ترانزيستور n-p-n شكل مشابهي دارند ولي در انها هم Ic و هم Vce مثبت است.
عكس شيب مخصه خروجي ، مقاومت خروجي ترانزيستور را بدست مي دهد، در صورتي كه دو سر ورودي، در نقطه اي كه اندازه گيري انجام مي شود، به جريان متناوب مدار باز شده باشد. مقاومت خروجي مدار باز از خاصيت هاي ترانزيستور است: وقتي سيگنالي به دو سر خروجي اعمال مي شود مقاومت خروجي به مقاومت منبع سيگنال وابسته است. چون منحني ها در قسمت عمده طولشان خطي هستند، مقاومت خروجي نسبتاً ثابت است، و چون منحني ها تقريباً موازي محور ولتاژ كلكتور، بيس هستند مقاومت خروجي خيلي زياد، و از مرتبه kΩ 100 يا بيشتر است.
مي توان ملاحظه كرد كه وقتي ولتاژ كلكتور- 20 به صفر كاهش داده شده است، هنوز مقداري از جريان كلكتور جاري است. دليل اين امر آن است كه سد پتانسيل دو سر پيوند كلكتور- بيس بايد قبل از اينكه جريان كلكتور متوقف شود، تا صفر كاهش پيدا كند (چرا كه سد پتانسيل) به عبور حاملين بار اقلييتي كمك مي كند). يكي ديگر از جنبه هاي مهم منحني مشخصه، جريان كلكتور است كه به ازاي تمام مقادير منحني ولتاژ كلكتور - بيس وقتي جريان اميتر صفر باشد، جريان پيدا مي كند. اين جريان، جريان حامل بار اقليتي است كه پيوند كلكتور- بيس عبور مي كند ( شبيه به جريان اشباع معكوس در يك ديود پيوندي ) و جريان نشستي كلكتور با نماد ICBO نام دارد.
بهره جريان اتصال كوتاه hfb ترانزيستور را مي توان از مشخصه خروجي براورد كرد زيرا تعيين تغيير جريان كلكتور حاصل از تغيير جريان اميتر، براي يك مقدار ثابت ولتاژ كلكتور - بيس، كار ساده اي است بدين سان، وقتي كه جريان اميتر از 5mA تا 7mA تغيير مي كند، جريان كلكتور از 4/9mA تا 6/8mA تغيير مي يابد و از اينرو hfb برابر2/9/1 يا 95/0 مي شود. از آنجا كه بهره جريان كمتر از واحد است و مقاومت ظاهري ورودي و خروجي خيلي باهم فرق دارند، اتصال بيس- مشترك براي مدارهاي بسامد شنيداري به ندرت بكار مي رود.
مشخصه ايستايي اميتر- مشترك
براي تعيين مشخصه ايستايي ترانزيستوري كه به شكل اميتر- مشترك بسته شده است، ترانزيستور بايد با اميتر- مشترك در مدار بسته شود؛ تنها تغييراتي كه در مدار لازم است صورت گيرد حذف ميلي آمپرسنج از مدار اميتر و قراردادن يك ميكروآمپرسنج در مدار بيس است.
الف- مشخصه ورودي اميتر- مشترك
مشخصه ورودي چگونگي تغييرات جريان بيس نسبت به تغييرات ولتاژ بيس - اميتر را، در حالي كه ولتاژ كلكتور اميتر ثابت است، نشان مي دهد. روش تعيين مشخصه ورودي اين است كه ولتاژ كلكتور- ايمتر را در يك مقدار مناسب ثبت نگاه دارند و ولتاژ بيس- اميتر را در مرحله اي جداگانه افزايش دهند و در هر مرحله جريان بيس را يادداشت كنند. هيمن روش مجدداً براي مقدار ثابت اما متفاوتي از ولتاژ كلكتور- اميتر Vce تكرار مي شود، چون تغيير اين ولتاژ بر منحني مشخصه ورودي اثر مي گذارد.
ب- مشخصه انتقالي جريان اميتر - مشترك
مشخصه انتقالي چگونگي تغييرات جريان كلكتور نسبت به تغييرات جريان بيس را، در حالي كه ولتاژ كلكتور- اميتر ثابت نگاه داشته شده است، نشان مي دهد. براي اين اندازه گيري ولتاژ كلكتور- اميتر ثابت نگاه داشته شده و جريان بيس در چندين مرحله مجزا افزايش داده مي شود و در هر مرحله جريان كلكتور را يادداشت مي كنند. سرانجام نموداري از تغيير جريان كلكتور بر حسب جريان بيس رسم مي شود. از آنجاكه مشخصه انتقالي از مقدار ولتاژ كلكتور - اميتور مستقل نيست، شيوه كار براي تعدادي از ولتاژهاي مختلف كلكتور- اميتر تكرار مي شود تا خانواده اي از منحني ها به دست آيد.
ج- منحني مشخصه خروجي اميتر- مشترك
منحني مشخصه خروجي، تغييراتي را كه در جريان كلكتور كه بر اثر تغيير ولتاژ كلكتور- اميتر، به ازاي مقدار ثابت جريان بيس، اتفاق مي افتد، نشان مي دهد. جريان بيس روي مقدار مناسبي ميزان مي شود و ولتاژ كلكتور- اميتر در چند مرحله مجزا از صفر افزليش داده مي شود و انگاه جريان كلكتور را در هر مرحله يادداشت مي كنند. سپس ولتاژ كلكتور- اميتر را به صفر بر مي گردانند و جريان بيس به يك مقدار مناسب ديگر افزايش داده مي شود، و آنگاه همين كار مجدداً تكرار مي شود در اين روش مي توان به خانواده اي از منحني ها دست يافت. براي منحني مشخصه متناظر n-p-n بايد قطبيتهاي ICو Ibو Vce به مثبت برگردانده شوند.
وقتی منحنی مشخصه نباشد، شیب آن مطابق با نقطه اندازه گیری تغییر می کند و بنابراین همیشه باید نقطه اندازه گیری ذکر شود. معمولاً جز مواردی که تصریح می شود، شیب خطی ترین بخش منحنی مشخصه اندازه گیری می شود. برای دستیابی به بالاترین میزان دقت نموهای داده شده به هر سوی نقطه انتخابی باید تا حد امکان کوچک گرفته شود هر چند در این فصل برای واضح تر کردن نمودارها این موضوع رعایت نشده است.
می توان منحنی های مشخصه خروجی را نیز برای تعیین بهره جریان اتصال کوتاه، hfe، ترانزیستور بکار گرفت، زیرا برای مقدار ولتاژ کلکتور- امیتر Vce مشخصی، تغییر جریان در کلکتور، Icδ را بر اثر تغییر جریان بیس، Ibδ می توان با تصویر کردن از روی منحنیهای مناسب به دست آورد. بنابراین به ازای Vce=-47 تغییری در جریان بیس از A μ40-تا A μ60- ، یک تغییر جریان کلکتور از 12 تا mA9/2 در پی دارد.
جریان نشتی کلکتور، ICBO، یک ترانزیستور بیس- مشترک نسبت به دما بسیار حساس است و تقریباً به ازای هر 12درجه سانیگراد افزایش دما در ترانزیستورهای سیلیسیمی و به ازای هر 8 درجه سانتیگراد افزایش دما در ترانزیستورهای ژرمانیم، دو برابر می شود. و اما، جریان نشتی ترانزیستور سیلیسیم در دمایی مشخص بسیار کمتر از جریان نشتی یک ترانزیستور ژرمانیم معادل آن در همان دماست.
معمولاً، ICBO در C20 برای ترانزیستور ژرمانیم می تواند حدود A μ10باشو ولی برای تراتزیستور سیلیسیم فقط حدود A n50 است.
د- منحنی های مشخصه متقابل امیتر- مشترک
منحنیهای مشخصه متقابل ترانزیستوری که به صورت امیتر - مشترک بسته شده است، تغییرات جریان کلکتور را که در اثر تغییرات ولتاژ بیس- امیتر، با ثابت نگاه داشتن ولتاژ کلکتور- امیتر پیش می آید نشان می دهد. شیب منحنی مشخصه متقابل رسانندگی مقابل ترانزیستور است.
ساخت ترانزیستور
از سال 1948 که ترانزیستور اختراع شد، رو شهای گوناگونی برای ساخت آن تکامل پیدا کرده است و توصیف اکثر آنها خارج از حوصله این کتاب است. از رایج ترین انواع مورد استفاده ترانزیستور دو نوع ترانزیستور پیوند آلیاژی و ترانزیستور تخت سیلیسیم است که فقط ساخت این دو نوع را معرفی خواهیمکرد.
ساخت ترانزیستور پیوند آلیاژی ژرمانیم این روش تعمیم روشی است که بیشتر برای دیود پیوند آلیاژی توصیف کردیم. ساخت ترانزیستور تخت سیلیسیم است.
4 لامپ های گرمایونی
لامپ گرمایونی شامل دو یا چند الکترود است که درون حبابی شیشه ای که بخش اعظم هوای داخل آن خارج شده است، قرار دارند. این لامپ در انواع متعدد و متفاوتی یافت می شود که کاربرد همه آنها متداول است اما در این فصل تنها به انواع ساده تر آن مانند دو قطبی (دیودس)، سه قطبی (تریود)، چهار قطبی (تترود) و پنج قطبی (پنتد) می پردازیم.
در تمام انواع این لامپها یکی از الکترودها کاتود و دیگری آنود است و اصول اساسی کار به این ترتیب است که وقتی کاتود تا دمای مناسبی گرم می شود تعداد زیادی الکترون گسیل می کند. بخشی از این الکترونها را آنود گردآوری می کند و جریان آنود را تشکیل می دهد. الکترونهای گسیلیده، در خلال گذارشان از کاتود به آنود، می توانند از میان یک، دو، یا سه شبکه بسته به نوع لامپ عبور کنند و پتانسیل اعمال شده به این شبکه ها می تواند جریان الکترونها و در نتیجه جریان آنود را کنترل کند.
گسیل گرمایونی
در دمای معمولی الکترونهای فلز می توانند به طور تصادفی در ساختار اتمی فلز در هر سو حرکت کنند، و برخی از الکترونهای نزدیک به سطح فلز در هوای پیرامون پراکنده می شوند. فلزات معمولی در دمای اتاق تعداد زیادی از الکترونهای خود را از دست نمی دهند و برای جلوگیری از ترک دائمی الکترونها از سطح فلز باید نیرویی وجود داشته باشد. به محض اینکه الکترونی فلز را ترک می کند، فلزیک بار منفی (بار الکترونی) از دست می دهد و این عمل معادل است با افزایش یک بار مثبت آن. این بار مثبت نیرویی به الکترون گسیلیده وارد می آورد که الکترون را به سوی فلز برمی گرداند، و برای اینکه الکترون بتواند بگریزد باید دارای مقدار کافی انرژی جنبشی باشد که بر این نیرو غالب آید. الکترونهای بسیار کمی هستند که در دمای معمولی این انرژی کافی را داشته باشند و تعداد الکترونهایی که می توانند از سطح فلز بگریزند بسیار اندک است. به منظور افزایش چشمگیر تعداد الکترونهایی که از فلز می گریزند باید به این الکترونها انرژی اضافی داده شود، و بهترین راه انجام این کار گرم کردن فلز است با افزایش دمای فلز، الکترونهای بیشتری انرژی کافی به دست می آورند که آنها را قادر می سازد به نیروی برگرداننده غلبه کنند و بتوانند از فلز بگریزند.
در اغلب فلزات اگر مشخصات فلز تغییر نکند، گسیل الکترون کافی باید در دمای بالایی صورت گیرد. در عمل امکان انتخاب مواد کاتودی محدود است به تنگستن، تنگستن توریم دار و اندوده نیکلی با آمیزه اکسید باریم و اکسید استرونتیوم که ممکن است مقداری هم اکسید کلسیم به آن افزوده شود. همین که الکترونی از کاتود می گریزد دستخوش نیرویی کند کننده که از جانب الکترونهای منفی باری که قبلاً گریخته اند وارد می آید، واقع می شود. الکترون با این نیرو کند می شود و ممکن است به کاتود برگردانده شود. همچنین این امکان وجود دارد که سرعت این الکترون گسیلیده بر اثر برخورد با مولکولی گازی کند شود ولی برای به حداقل رساندن این اثر کاتود را در یک حباب شیشه ای تخلیه شده قرار می دهند.
بدین سان الکترونها همواره از سطح کاتود گرم گسیلیده می شوند و سپس در معرض نیروهایی واقع می شوند که می خواهند آنها را به کاتود برگردانند. اغلب الکترونهای گسیلیده قبل از برگشتن به کاتود تنها به فاصله کوتاهی از آن دور می شوند؛ این فاصله با سرعت گسیل الکترون متناسب است. بنابراین پیرامون کاتود را ابری از الکترونها فرا گرفته است، که برخی از آنها از کاتود دور می شوند و برخی به سوی آن می آیند. تنها الکترونهایی که برای غلبه بر نیروهای بازدارنده انرژی کافی دارند می توانند از مجاورت کاتود بگریزند. ابر الکترونی اطراف کاتود بار فضایی نامیده می شود. واضح است که بار فضایی منفی است.
اگر الکترود دیگر، یعنی آنود، به فضای تخلیه شده وارد شود و نسبت به کاتود پتانسیل مثبت پیدا کند، آنگاه نیرویی ربایشی به الکترونهای گسیلیده وارد می آورد. بنابراین الکترونهای گسیل شده در معرض نیرویی ترمزی ناشی از میدانهای الکتریکی پدید آمده از کاتود مثبت بار و بار فضایی مثبت بار ، و نیرویی ربایشی ناشی از میدان الکتریکی پدید آمده از آنود، قرار دارند. در نزدیکی آنود میدان الکتریکی شتاب دهنده از میدان الکتریکی کند کننده بزرگ تر است، درحالی که در نزدیکی کاتود میدان الکتریکی کند کننده غالب است. در نقطه ای میان کاتود و آنود این دو میدان الکتریکی مساويند و خنثی می شوند و الکترونی که به این نقطه می رسد نه شتابدار است و نه کند شده. الکترونهای گسیلیده ای که برای رسیدن به این نقطه انرژی کافی دارند، تحت تأثیر میدا آنود قرار می گیرند و به سرعت به سوی آنود شتاب می گیرند و درآنجا در جریان سهیم می شوند.
افزایش پتانسیل مثبت آنود نقطه میدان الکتریکی صفر را به کاتود نزدیک تر می کنند و رسیدن الکترونهای کم انرژی تر را به آنود، ممکن می سازند. بنابراین با افزایش ولتاژ آنود، جریان آنود نیز افزایش می یابد. اگر افزایش ولتاژ آنود به میزانی برسد که موضع میدان الکتریکی صفر در کاتود قرار گیرد، تمامی الکترونهای گسیلیده به آنود می رسند و بار فضایی وجود نخواهد داشت. بنابراین جریان آنود در حداکثر مقدار خود خواهد بود، زیرا الکترونهای گسیلیده دیگری وجود ندارد که آنود آنها را گردآوری کند. افزایش بیشتر ولتاژ آنود، افزایشی متناظر را در جریان آنود درپی نخواهد داشت؛ تنها راه برای افزایش جریان آنود افزایش دمای کاتود و در نتیجه افزایش تعداد الکترونهای گسیلیده است.
مواد کاتود
سه نوع ماده مختلف برای کاتود لامپهای گرمایونی به کار می برند، انتخاب هر یک از این مواد برای لامپی خاص، به ارائه گستره پتانسیل های آنو بستگی دارد که از لامپ انتظار می رود. در مورد لامپهایی که برای ارائه فقط توانهای کوچک تا اتلاف حدود W300 در آنود طراحی شده اند، و نیز برای اعمال ولتاژهایی تا حدود V2000 به آنودهای آنها، از کاتودهای اکسیداندود بهره می گیرند. کاتود اکسیداندود شامل آمیز ای از اکسید باریم و اکسید استرونتیوم است که رویه بدنی نیکلی را اندود می کنند (گاهی هم از موادی مانند تنگستن و مولیبدن روی بدنه کاتود استفاده می شود). وقتی کاتودی از این نوع تا دمای حدود 1000 - 800 گرم شود گسیل کافی الکترون صورت می گیرد.
لامپهای توان متوسط، که حداکثرتوان اتلافی آنها در آنود W1000 است، در آنود خود به اعمال ولتاژی تا V5000 نیاز دارند که استفاده از چنین ولتاژهای بالایی از بمباران کاتود از سوی اتم های یونیده حاصل می شود. شدت این بمباران با مقدار ولتاژ آنود متناسب است و ناشی از فروپاشی سریع کاتود اکسید اندود است. در لامپهای توان متوسط از کاتودهای تنگستن توریوم اندود استفاده می شود. کارایی گسیلش این نوع کاتود کمتر از کارایی گسیلش کاتود اندود است، ولی گسیل الکترون کافی در دمای تقریباً 2000 صورت می گیرد.
لامپهایی که برای ارائه توانهای خیلی زیاد، با اتلاف تا حدود kW100 یا بیشتر، طراحی شده اند باید ولتاژی تا V 000,20 به آنود آنها اعمال شود و شدت بمباران یونی حاصل برکاتود باعث می شود که استفاده ازکاتودهایی سود می برند که از تنگستن خالص ساخته شده باشد. تنگستن خالص گسیلنده ای با کارایی بسیار کم از تنگستن توریم اندود است و باید در دمایی حدود 3000 کار کند.
گرم کردن کاتود
کاتود لامپ گرمایونی از طریق عبور جریان الکتریکی گرم می شود. در لامپ گرم شونده مستقیم جریان گرم کن مستقیماً از کاتود، یا رشته (فیلامان)، می گذرد، اما در لامپ گرم شونده نامستقیم جریان گرم کن از سیمی مقاومت می گذرد که درون یک کاتود استوانه ای توخالی سوار شده است. کاتود گرم شونده مستقیم را می توان از تنگستن، تنگستن توریم اندود یا تنگستن اکسید استرونتیوم اندود ساخت، در حالی که کاتودهای گرم شونده نامستقیم را همیشه از نیکل (یا ماده بدنه مناسب دیگری) که با آمیزه ای از اکسید باریوم و اکسید استرونتیوم اندود شده است، می سازند.
مشخصه ایستایی
مشخصه ایستایی لامپ دوقطبی نمودار جریان آنود بر حسب ولتاژ آنود است و می توان آنرا به کمک آرایش مشخص کرد. سنجه های A1 و V به ترتیب مقادیر جریان آنود و ولتاژ آن را می خوانند و سنجه A مقادیر جریان گرم کن را قرائت می کند. روش اندازه گیری به طور خلاصه چنین است: جریان گرم کن روی مقدایر مناسب نگاه داشته می شود و سپس در چندین مرحله ولتاژ آنود را افزایش می دهند. در هر مرحله جریان عبوری از آنود را یادداشت می کنند و سپس این مقادیر جریان را بر حسب ولتاژ آنود رسم می کنند. همان طور که دیده می شود ابتدا جریان آنود با افزایش ولتاژ آنود به سرعت افزایش می یابد تا اینکه به ولتاژی می رسد که در آن جریان با سرعت کمتری شروع به افزایش می کند. به این ولتاژ ولتاژ زانویا ولتاژ اشباع می گویند. و در این ولتاژ جریان را جریان اشباع می نامند.
برفراز نقطه اشباع، تغییرات زیاد ولتاژ آنود تنها تغییرات کمی در جریان آنود در پی دارد زیرا آنود قبلاً تقریباً تمامی الکترونهای گسیلیده را گردآوری کرده است. هرچند در شکل نموده نشده است، اما یک جریان آنود بسیار کوچک، چند میکروآمپر ، به ازای ولتاژ صفر و ولتاژهای کم منفی آنود عبور می کند؛ این جریان نشان می دهد که تعداد کمی الکترون با انرژی کافی و بدون کمک میدان شتاب دهنده آنود گسیلیده می شوند و به آن می رسند. اکنون اگر جریان آنود تغییر یابد و همان نحوه اندازه گیری تکرار شود، مشخصه مشابهی به دست می آید ، که تنها فرق آن این است که نقطه اشباع به ازای مقدار ولتاژ دیگری از آنود اتافاق می افتد.
وقت جریان آنود کمتر از مقدار اشباع باشد آن را محدوده بار فضایی گویند زیرا با افزایش ولتاژ آنود و بنابراین کاهش بار فضایی، همیشه می تواند افزایش یابد. درآن سوی نقطه اشباع جریان را محدوده دما می گویند زیرا تنها می تواند با افزایش دمای کاتود افزایش یابد.
لامپ سه قطبی
لامپ سه قطبی الکترود سومی شبکه کنترل، هم دارد که بین کاتود و آنود نزدیک به نقطه با حداقل میدان الکترکی جا داده شده است. شبکه کنترل، از یک توری طریف تشکیل می شود، و معمولاً از طریق بستن یک باتری بین شبکه و کاتود آن را نسبت به کاتود در یک پتانسیل منفی نگاه می دارند. پتانسیل شبکه، میدان الکتریکی آنود را کاهش می دهد و این امر موجب کاهش تعداد الکترونهایی می شود که می توانند به آنود برسند.
اگر شبکه نسبت به کاتود منفی تر شود، میدان الکتریکی آنود بیشتر کاهش می یابد و حتی الکترونهای معدودتری انرژی کافی بدست می آورند تا به آنود برسند. برعکس، اگر شبکه کمتر منفی شود، میدان الکتریکی آنود افزایش می یابد و الکترونهای بیشتری می توانند به آنود برسند. پتانسیل شبکه می تواند تعداد الکترونهایی که به آنود می رسند و بنابراین جریان آنود را به همان طریقی که پتانسیل آنود کنترل عمل می کرد، کنترل کند. چون شبکه خیل نزدیک تر به کاتود قرار گرفته تا آنود کنترل اعمال شده بر هر ولت تغییر پتانسیل از سوی شبکه بسیار بیشتر از کنترل اعمال شده از جانب آنود است. افزایش مداوم پتانسیل منفی روی شبکه کنترل جریان آنود سه قطبی را به طور فزاینده ای کاهش می دهد تا اینکه نقطه ای خواهد شبکه کنترل جریان آنود سه قطبی را به طور لفزاینده ای کاهش می دهد تا اینکه نقطه ای خواهد رسید که جریان آنود از جاری شدن باز می ایستد. ولتاژ شبکه- کاتود که دقیقاً باعث قطع جریان آنود می شود، ولتاژ قطع لامپ نامیده می شود.
در اغلب مدارها، به شبکه لامپ سه قطبی اجازه داده نمی شود نسبت به کاتود مثبت شود زیرا این عمل باعث جاری شدن جریان شبکه می شود، که همین بر عملکرد مدار اثر زیان بخشی خواهد گذاشت. برای پیشگیری از این امر، معمولاً چند ولتی بیشتر از مقدار حداکثر سیگنالهایی که باید به شبکه اعمال شوند، به شبکه پیش ولت منفی داده می شود. پیش ولت شبکه در فل بعد مورد بحث قرار خواهد گرفت.
ساختمان لامپ سه قطبی معمولی گرم شونده نامستقیم است. کل مجموعه درون حباب شیشه ای تخلیه شده ای جا داده شده است و اتصالها به سنجاقهایی در یک پایه عایق پیوند داده می شوند. ساختار سه قطبی گرم شونده مستقیم فقط در استفاده از کاتود نوع نموده شده. گاهی اتصال شبکه یا آنود را می توان به جای پایه لامپ، به یک سنجاق در نوک حباب وصل کرد و می توان آنود را با پره های سرد کننده مجهز کرد.
پارامترها و مشخصه های ایستایی سه قطبی
مشخصه های ایستایی لامپ سه قطبی را می توان با روشی تجربی، مشابه ترانزیستورها، تعیین کرد. منحنی های حاصل را می توان برای طراحی مدارها یا دادن اطلاعات درباره لامپ به کار برد. معمولاً دو خانواده مشخصه ایستایی کشیده می شود:
الف) منحنی های مشخصه آنود که نحوه تغییر جریان آنود بر اثر تغییر ولتاژ آنود به ازای مقادیر ثابت ولتاژ شبکه را نشان می دهند.
ب) منحنی های مشخصه متقابل که چگونگی تغیرات جریان آنود نسبت به تغییر ولتاژ شبکه به ازای مقادیر ثابت ولتاژ آنود را نشان می دهند.
سومین مجموعه منحنی های مشخصه یعنی منحنی های مشخصه تبدیل ولتاژ را نیز می توان رسم کرد، اما از آنجا که کاربرد عملی آنها نادرست است توضیح بیشتری درباره آنها نمی آوریم. لامپ سه قطبی سه پارامتر مفید a.c. دارد و مقادیر آنها را می توان از مشخصه های آنود یا مشخصه های متقابل تعیین کرد. این پارامترها عبارتند از:
الف. ra ، مقاومت a.c. ی آنود
ب. gm ، رسانندگی متقابل
ج. μ ضریب تقویت
لامپ پرتوکاتودی
لامپ پرتو کاتودی (c.r.t.) وسیله ای گرمایونی است که می تواند مقادیر لحظه ای سیگنالهای الکتریکی را نمایان سازد. باریکه ای از الکترونهای سریع متوجه پرده ای می شود که از ماده ای فلوئورسان اندوده شده و بنابراین نقطه نورانی دیدنیی را نشان می دهد. از طریق منحرف کردن باریکه الکترونی، این نقطه مرئی می تواند در حدود پرده حرکت کند و یک شکل موج الکتریکی ترسیم کند. لامپ پرتوکادی در مهندسی الکترونیک و مخابرات کاربرد فراوانی دارد؛ بدیهی ترین نمونه کاربرد آن در گیرنده تلویزیونی در منزل است و مثال دیگر مهم آن در این کتاب نوسان نمای (اسیلوسکوب) پرتو کاتودی (c.r.o)، یک اسباب اندازه گیری الکتریکی است.
5 لامپ پرتو کاتودی
اساساً لامپ پرتو کاتودی از یک منبع باریکه الکترون بسیار سریع، یک وسیله کانونی کننده باریکه الکترونی و وسیله انحراف این باریکه در محدوده رویه پرده فلئورسان، تشکیل می شود. از میدانهای الکتریکی و مغناطیسی می توان برای کانونی کردن و انحراف این باریکه بهره گرفت و هر یک مزیتها و معایبی دارند که به انتخاب مناسب آنها برای لامپهای طراحی شده در کاربردهای گوناگون منجر می شوند.
کانونی کردن الکتریکی و انحراف الکتریکی
ساختمان اساسی یک لامپ پرتوکاتودی که برای کانونی کردن و انحراف باریکه الکترونی از میدانهای الکتریکی سود می برد. این لامپ مشکل از یک حباب شیشه ای تخلیه شده است که در داخل آن یک تفنگ الکترونی، دو زوج الکترودهای منحرف کننده و یک پرده که جدار داخلی آن با ماده ای فلوئورسان اندوده شده است، قرار دارند. اجزای تفنگ الکترونی عبارتند از ماتود گرم شونده نامستقیم یک مدولاتور یا شبکه استوانه ای که پیرامون کاتود را فرا یم گیرد و سه (گاهی هم دو) آنود. شبکه در پتانسیلی منفی نگاه داشته می شود و هر آنود، نسبت به کاتود در حالت پتانسیل مثبت قرار دارد. الکترونهای گسیلیده از کاتود در معرض یک نیروی رانشی قرار دارند که از جانب شبکه منفی وارد می آید و یک نیروی ربایشی اعمال شده از سوی آنود، قرار دارند.
پتانسیل های مثبت اعمال شده به آنودها از پتانسیل های منفی اعمال شده بر شبکه بسیار بیشترند (معمولاً V1000+ در مقابل V20- ولی چون شبکه نسبت به آنودها به کاتود خیلی نزدیک تر است، برای کنترل تعداد الکترونهایی که از یک حفره کوچک در شبکه عبور می کنند، تأثیر آن بسیار زیاد است. این الکترونها باریکه الکترونی را تشکیل می دهند. الکترونهایی که شبکه را ترک می کنند از طریق پتانسیل های مثبت آنود شتاب می گیرند و به سرعت زیادی می رسند و در راستای لامپ حرکت می کنند تا اینکه به پرده برخورد کنند. وقتی که الکترونها به پرده پرخورد می کنند ماده فلوئورسانی که پرده را اندوده است به طور قابل رؤیت تابان می شود می شود و آنگاه می توان نقطه ای نورانی را بر رویه پرده دید. روشنایی این نقطه نورانی به تعداد الکترونهایی که به پرده می رسند و سرعت آنها بستگی دارد و این عوامل تحت کنترل پتانسیل شبکه هستند. بنابراین اگر پتانسیل شبکه از طریق تقسیم کننده پتانسیلی متصل به دو سر یک منبع ولتاژ مناسب تأمین شود می توان یک کنترل درخشندگی فراهم آورد.
از آنجا كه هر يك از الكترونهاي گسيليده يك بار منفي حمل مي كند، يك اثر رانشي دوجانبه روي يكديگر دارند، كه باعث مي شود باريكه همچنان كه مسير خود را مي پيمايد و اگرا شود. چنين باريكه اي يك سطح كم نور و تاربر رويه پرده ايجاد مي كند. اگر قرار باشد شكل موجهاي الكتريكي مشاهده شوند، بايد يك نقطه نوراني كوچك و به شدت كانوني شده روي پرده ديده شود و بنابراين وسيله اي براي كانوني كردن باريكه الكتروني ضرورت پيدا مي كند. ميدان الكتريكي كه بين شبكه و نخستين آنود برقرار مي شوند نيروهايي بر الكترونها وارد مي آورد كه آنها را در نقطه اي درست در جلو آنود متمركز مي كند. اين باريكه در آنجا واگرا مي شود و به وسيله ميدانهاي الكتريكي كه در ناحيه اي بين اين سه آنود بر قرار است، به يك كانون دوم در انتهاي لامت آورده مي شود. مي توان نقطه كانوني را چنان تشكيل داد كه با وضعيت پرده انطباق يابد، اين عمل از طريق تنظيم مناسب پتانسيل اعمال شده بر آنود مياني به وسيله كنترل كانون انجام مي شود.
گاهي اختلاف پتانسيلهاي لازم بين كاتود و آنودها از طريق نگاه داشتن كاتود در يك پتانسيل منفي بالا و نكاه داشتن پتانسيل آنودها در صفر يا يك پتانسيل مثبت كوچك، به دست مي آيد.
بين سيستم كانوني كننده و پرده دو زوج صفحه منحرف كننده باريكه قرار گرفته است. صفحات x به طور قائم سوار شده اند و يك ميدان الكتريكي افقي تهيه مي كنند تا باريكه الكتروني را در صفحه افقي منحرف كنند. صفحات نصب شده افقي انحراف را در صفحه قائم تأمين مي كنند.
وقتي ولتاژي به دو سر صفحه هاي x اعمال مي شود، باريكه در صفحه افقي به سوي صفحه اي كه در پتانسيل مثبت نگاه داشته شده است، منحرف مي شود. مسافتي كه باريكه مي پيمايد با مقدار ولتاژ صفحه متناسب است. حساسيت انحراف ولتاژي است كه بايد به دو سر اين صفحات اعمال شود تا 1 سانتيمتر انحراف را باري نقطه مرئي روي پرده ايجاد كند. به همين ترتيب، اگر ولتاژي به دو سر صفحات Y داده شود اين نقطه به طور قائم به طور قائم منحرف مي شود. اگر ولتاژها به طور همزمان به صفحات X و Y اعمال شوند. بنابراين، در راستاي برآيند آنها منحرف مي شود. ازاين رو، اگر دامنه اين دو ولتاژ و حساسيت انحراف صفحات Xو Y و مساوي باشند، آن نقطه با زاويه ْ45 منحرف مي شود. حساسيت انحراف با پتانسيل شتاب دهنده بر سومين آنود نسبت عكس دارد، ولي از آنجا كه روشنايي نقطه مرئي به سرعت برخورد الكترونها با پرده بستگي دارد، ولتاژ آنود نمي تواند در تلاش براي افزايش حساسيت انحراف كاهش زيادي پيدا كند. برخي لامپهاي پرتو كاتودي با افزودن يك آنود ديگر بين صفحات انحراف دهنده و پرده براي تأمين شتاب پس از انحراف بر اين مشكل فائق مي آيند. آنود اضافي شامل يك اندوده گرافيتي بر جداره داخلي لامپ است در پتانسيلي مشابه پتانسل آنود سوم نگاه داشته مي شود.
برخورد الكترونهاي سريع بر پرده باعث مي شود كه پرده با نور مرئي تابان شود، و رنگ نمايه به ماده فلوئورسان بكار رفته براي پوشش پرده بستگي دارد. معمولاً سبز را بهترين رنگ براي لامپ در نوسان نما مي دانند و براي دستيابي به آن از ارتو سيليكات روي استفاده مي شود. الكترونهاي فرودي براي آنكه سبب شوند پرده الكترونهاي ثانويه گسيل كند، به اندازه كافي انرژي جنبشي دارد. (ر.ك.ص 95). اين الكترونها بايد گردآوردي شوند.
كاتود برگردند، در غير اينصورت، تعداد الكترونهاي حاضر روي پرده دائماً افزايش مي يابند و در نتيجه باعث مي شوند پرده بار منفي پيدا كند. معمولاً الكترونهاي ثانويه از طريق يك اندوده گرافيتي روي جدا داخلي گردنه لامپ كه به طور غير مستقيم به كاتود وصل شده است، گردآوري مي شوند.
لامپ پرتو كاتودي نسبت به تمركز الكتريكي و انحراف الكتريكي حساس است و مي تواند بسامدهاي بالاكار كند اما حداكثر زاويه انحراف بزرگ نيست. به علت وجود اين عوامل اين نوع لامپ در نوسان نماهاي پرتو كاتودي به كار مي رود كه در آن حساسيت و حداكثر بسامد بالا نسبت به زاويه انحراف ممكن از اهميت بيشتري برخوردارند. بنابراين، پرده لامپ نوسان نما هميشه نسبتاً كوچك، معمولاً 5//17 سانتيمتر، است. برعكس، در گيرنده تلويزيوني اندازه پرده هميشه بزرگتر، معمولاً 22 اينچ، 26اينچ، و چنين اندازه هايي زاويه انحراف بزرگ ضرورت پيدا مي كند. بنابراين لامپهاي مورد استفاده درگيرنده هاي تلويزيوني از انحراف الكتريكي باريكه الكتروني بهره نمي گيرند.
كانوني كننده مغناطيسي و انحراف مغناطيسي
جزئيات ساختماني اساسي لامپ پرتو كاتودي كه هم از كانوني كننده مغناطيسي و هم از انحراف مغناطيسي باريكه الكتروني استفاده مي كند در شكل زير نموده شده است. الكترونها از كاتود گرم گسيل مي شوند و از ميان سوراخ شبكه استوانه اي عبور مي كنند تا با پتانسيل هاي مثبت آنودها با سرعت زيادي شتاب پيدا كنند.
ميدان الكتريكي برقرار شده بين شبكه و آنود اول، باريكه الكتروني را كه در نقطه اي در نزديكي آنود كانوني مي كند، كه بعد از اين؛ واگرا شدن باريكه اغاز مي شود. آهنرباهاي دائمي كه در پيرامون جدار خارجي لامپ نسبت شده اند، يك ميدان مغناطيسي ايجاد مي كنند كه باريكه الكتروني واگرا از ميان آن عبور مي كند.
نيروهاي مغناطيسي بر باريكه وارد مي آيند و برآن اثر مي گذارند و آن را بر پرده متمركز مي كنند. تنظيم ريز نقطه كانوني از طريق حركت دادن موضوع فيزيكي آهن ربا ها و در نتيجه تغيير ميدان مغناطيسي برقرار شده و در داخل لامپ امكان پذير است. وقتي كه آهن رباها به همديگر نزديكتر شوند ميدان مغناطيسي كه توليد مي كنند افزايش مي يابد و سپس باريكه در نقطه اي نزديك تر به آهن رباها متمركز مي شود. به همين ترتيب افزايش فضاي بين آهن رباها نقطه بين كانوني باريكه را نسبت به موضوع آهن رباها به نقطه اي دورتري منتقل مي كند. آنگاه باريكه الكتروني از ميان ميدان مغناطيسي برقرار شده به وسيله دو زوج پيچك منحرف كننده كه روي يك قالب عايق پيچيده شده و در گردنه لامپ نصب شده اند، عبور مي كند.
لامپهاي تلويزيون رنگي
رايجترين نوع لامپ تلويزيون رنگي لامپ با محافظ سايه دار نام دارد. اين لامپ سه تفنگ الكتروني جداگانه دارد، كه هر كدام يك باريكه الكتروني را متوجه پرده مي كند. پرده با سه نوع ماده مختلف فلوئورسان اندوده شده است، كه در هنگام بخورد با الكترونهاي سريع، يكي از آنها با نور آبي، يكي با نور قرمز، و سومي با نور سبز مي درخشند. پرده به تعداد زيادي سطوح كوچك تقسيم شده است كه هر سطح شامل يك ماده فلوئورسان است.
باريكه الكتروني ناشي از يك تفنگ خاص بايد فقط قادر باشد به عناصر يك رنگ از پرده برخورد كند. براي دستيابي به اين هدف، يك ورقه پولادي مشبك، به نام حفاظ سايه دار، بين تنفنگهاي الكتروني و پرده ها نصب مي شود، و محل آن را با دقت تعيين مي كنند. وقتي باريكه هاي الكتروني پرده را خردكاوي مي كنند نور سه رنگ مختلف گسيليده مي شود و چشم رنگي را كه متناظر با تركيب آنهاست مي بينند.
مبناهاي زماني
شكل موجهاي ولتاژ متناوب توابعي از زمان هستند و براي نمايش درست چنين شكل موجي روي لامپ پرتو كاتودي نوسان نما، نقطه مرئي بايد با سرعت ثابتي بر رويه پرده حركت كند. وقتي كه نقطه به سمت راست پرده مي رسد، بايد سرعت به چپ برگردانده شود، تا دوباره پيمودن يك مسير ديگر را در عرض پرده آغاز كند. براي برآوردن اين نياز، بايد ولتاژي را كه نسبت به زمان به طور خطي يا يك مقدار حداكثر بالا مي رود و سپس به سرعت به صفر سقوط مي كند به دو سر صفحات X اعمال شود. چنين شكل موج ولتاژي را دندانه اره اي مي نامند. به وسيله يك مدار مبناي زماني توليد مي شود. مطلوب اين است كه برگشتي سريع باريكه الكتروني اثر مرئيي بر پرده ايجاد نكند؛ اين كار از طريق اعمال تپهاي حذف كننده به شبكه لامپ در خلال دوره برگشتي، انجام مي شود. اين تب هاي منفي لامپ را به بعد از نقطه قطع پيش ولت مي كند و بنابراين هيچ الكتروني از كاتود گسيل نمي شود.
اگر ولتاژ متناوبي به دو سر صفحات Y اعمال شود، باعث مي شود كه باريكه الكتروني به طور همزمان در صفحه قائم منحرف شود و اگر زمان تناوب مبناي زماني و ولتاژهاي سيگنال مساوي باشند، يا يكي مضرب كوچك صحيحي از ديگري باشد، نقطه مرئي شكل موج صحيحي را روي پرده رسم مي كند.
موضوع نقطه مرئي روي پرده به وسيله برآيند نيروي منحرف كننده وارد بر تاريكه الكتروني تعيين مي شود. بنابراين، در لحظه زماني 1 هر دو ولتاژ صفر اند و نقطه منحرف نمي شود. در لحظه 2 ولتاژ در حداكثر مقدار مثبت خود است و ولتاژ مبناي زماني به طور خطي افزايش يافته و در يك چهارم مقدار نهايي خود واقع است؛ موضوع لحظه اي نقطه از طريق تصوير كردن هر دو شكل موج، كه با خط چين نشان داده شده است، و مشخص كردن نقطه تقاطع آنها، به دست مي آيد. به روش مشابهي، موضوع نقطه را در لحظه هاي 3، 4 و 5 مي توان تعيين كرد. در لحظه 5، ولتاژ مبناي زماني به مقدار حداكثر خود مي رسد و آنگاه به طور ناگهاني به صفر بر مي گردد تا صعود بعدي را شروع كند. از آنجا كه پس فروزش ماده فلوئورسان كوتاه است، در هر لحظه عملاً فقط سطح كوچكي از پرده مي درخشد ولي، بعلت باقي ماندن اثر دي در چشم انسان، يك اثر مداوم به نظر مي رسد.
موضوع شكل موج نمايش يافته روي پرده مي تواند از طريق برهم نهادن يك ولتاژ پيش ولت a.c. بر سيگنال و/ يا ولتاژ مبناي زماني هم در صفحه افقي و هم در صفحه قائم تنظيم شود. ولتاژهاي پيش ولت را مي توان به وسيله مقاومت هاي متغير به ترتيب به نام فرمانهاي انتقال XوY تنظيم كرد.
6 تقويت كننده هاي سيگنال كم دامنه
لامپهاي گرمايوني ( غير از ديودها) و ترانزيستورها مي توانند سيگنال هاي جريان متناوب را تقويت كنند زيرا جريان خروجي آنها مي تواند با يك سيگنال اعمال شده و بر سر وروديشان كنترل شود. تغييري در سيگنال ورودي تغييري در جريان خروجي را در پي دارد، و اگر به ولتاژ يا توانايي خروجي نياز باشد بايد جريان خروجي از يك بار مقاومتي در مدار خروجي عبور كند.
مقاومت ظاهري لامپ گرمايوني خيلي بالا بوده و وسيله اي است كه با ولتاژ كار مي كند، يعني تقويت كننده اي لامپي است كه فقط مي تواند بهره ولتاژ را تأمين كند. بهره ولتاژ به صورت نسبت تغيير ولتاژ خروجي به تغيير ولتاژ ورودي موجد آن، تعريف مي شود. از سوي ديگر، مقاومت ظاهري ورودي ترانزيستور نسبتاً كم است و براي اينكه كار كند به يك جريان ورودي نيازمند است؛ بنابراين، يك تقويت كننده ترانزيستوري، مي تواند بهره ولتاژ، جريان يا توان ارائه دهد.
انتخاب نقطه كار
مشخصه متقابل ديناميكي لامپ با يك بار آنود مقاومتي نشان مي دهد كه چگونه جريان خروجي آن بر اثر تغيير ولتاژ ورودي به ازاي مقادير ويژه مقاومت بار و ولتاژ تغذيه، تغيير جريان گردآور ترانزيستوربر اثر تغيير جريان پايه به ازاي مقادير ويژه مقاومت بار گردآور و ولتاژ تغذيه گردآور تغيير مي كند.
مي توان از يك مشخصه ديناميكي به طور نموداري، براي تعيين موج جريان خروجي براي يك شكل موج سيگنال ورودي ويژه استفاده كرد. به طور ايده آل اين دو موج بايد يكسان باشند، ولي اين موضوع نيازمند آن است كه مشخصه ديناميكي مطلقاً خطي باشد. در عمل، هميشه مقداري ناخطي بودن وجود دارد و براي كمترين واپيچش سيگنال، بايد دقت كرد كه كار به خطي ترين بخش منحني محدود شود. براي اين كار، بايد يك نقطه كار مناسب، يا نقطه آرامش، انتخاب شود و دامنه علامت ورودي بايد محدود باشد. نقطه كار انتخاب شده از طريق بكارگيري يك پيش ولت يا پيش جريان يكنواخت تثبيت مي شود. براي دستيابي به سيگنال حداكثر، نقطه كار معمولاً در مركز بخش خطي منحني مشخصه ديناميكي قرار داده مي شود. آنگاه سيگنال متناوب مركزي واقع بر اين نقطه كارنوسانات مساوي جريان خروجي در بالا و پايين مقدار آرامش توليد مي كند. اگر به حداكثر نوسانات ولتاژ و يا جريان خروجي بدون واپيچش نيازي نباشد، نقطه كار را مي توان چنان انتخاب كرد كه يك جريان گردآور ضعيف d.c. را به دست دهد تا مصرف تغذيه توان را (به ويژه اگر از باتري استفاده مي شود) به حداقل برساند يا به منظور رسيدن به مقدار ويژه جريان گردآور، كه در آن بهره جريان hfe ترانزيستور حداكثر باشد.
جريان خروجي را مي توان به راحتي جريان مستقيم دانست كه با يك جريان متناوب بر هم نهاده شده است. جريان مستقيم با جرياني برابر است كه وقتي سيگنال ورودي صفر باشد، جاري مي شود يعني جريان آرامش و مقدار نوك به نوك جريان متناوب -Imin Imax است. واضح است كه جريان خروجي هميشه در خلال يك چرخه موج سيگنال ورودي جاري است. وسيله فعال را وسيله اي گويند كه در شرايط رده A كار كند. مقدار نوك شكل موج سيگنال بايد هميشه كمتر از پيش ولت يا پيش جريان باشد، در غير اينصورت موج خروجي واپيچيده خواهد بود.
عملكرد رده B و رده C
عملكرد رده A در يك تقويت كننده واپيچش سيگنال پاييني را ارائه مي دهد. حداكثر كارايي نظري كه مي توان d.c. آن را از منبع تغذيه توان مي گيرد، به توان خروجي سيگنال a.c. تبديل مي شود كه فقط 50% است، كارايي هاي عملي خصوصاً در حالت تقويت كننده هاي گرمايوني از اين مقدار كمترند. براي كسب كارايي بيشتر از اين تقويت كننده مي تواند در شرايط رده B يا رده C كار كند.
نقطه كار با عمل رده B كه به ترانزيستور مربوط مي شود، در وضعيت قطع قرار مي گيرد. جريان خروجي تنها در نيم چرخه هاي متناوب شكل موج سيگنال جاري مي شود. واضح است كه شكل موج جريان خروجي به ميزان زيادي واپيچيده است؛ بنابراين پيش ولت رده B فقط مي تواند در مدارهايي بكار رود كه قادرند نيم چرخه هاي حذف شده موج سيگنال را ذخيره كنند. چنين مدارهايي تقويت كننده هاي پوش - پول و تقويت كننده هاي بسامد راديويي - كوك نام دارند. بازده نظري عمل رده B حداكثر 5/78/0 است.
با پيش ولت رده B حتي به بازده بيشتري مي توان دست يافت. با پيش ولت رده C نقطه كار درست بعد از نقطه قطع قرار دارد. جريان خروجي به صورت يك رشته تپهاي باريك با دوامي كمتر از نصف زمان تناوب شكل موج سيگنال ورودي، جاري مي شود. پيش ولت رده C در تقويت كننده هاي توان بسامد راديويي و در بعضي مدارهاي نوسان ساز بكار مي رود نه پيش ولت B و نه رده C نمي توانند در پيوند با تقويت كننده بسامد شنيداري با مقاومت بار مورد استفاده قرار گيرند، زيرا در اين صورت اعوجاج (واپيچش) زيادي حاصل خواهد شد.
پيش ولت لامپ براي اطمينان از عمل لامپ در قسمت خطي منحني مشخصه ديناميكي لامپ لازم است كه يك پيش ولت منفي به شبكه لامپ اعمال شود، اين عمل براي اطمينان حاصل كردن از اين نكته هم هست كه شبكه رد خلال نيم چرخه هاي مثبت سيگنال ورودي مثبت نخواهد شد شرط دوم ضرورت جلوگيري از عبور جريان شبكه است زيرا اين جريان اعوجاج بيشتري در سيگنال به وجود خواهد آورد.
روش رايج تأمين يك پيش ولت شبكه اتصال يك باتري به مدار شبكه- كاتود است. در اينجا Vgb نيروي محركه الكتريكي پيش ولت باتري و Rg مقاومتي است كه يك مسير جريان مستقيم براي پيش ولت براي اعمال به شبكه را فراهم مي آورد. مقاومت Rg بزرگ، در حدود 5/0 الي يك مگا اهم اختيار مي شود، بطوريكه مسير سيگنال را موازي نكند. هيچ جريان مستقيمي در Rg جاري نمي شود و انرژي بر مقدار پيش ولت شبكه ندارد. روش رايج ديگر براي دستيابي به پيش ولت شبكه اتصال يك مقاومت در مدار كاتود است.
جريان كاتود Ik لامپ در مقاومت كاتود Rk جاري مي شود و يك ولتاژ، Ik Rk ولت، پديد مي آيد كه قطبيت آن مطابق شكل است. با فرض صفر بودن جريان شبكه، لامپ نسبت به كاتود از طريق ولتاژي كه در دور سر Rk به وجود مي آيد، منفي است. مقدار Rk را چنان انتخاب مي كنند كه ولتاژ مطلوب پيش ولت شبكه را بدهد.
7 مولدهاي شكل موج
شكل موجها
مولد موج مداري الكترونيكي است كه براي توليد يك نيروي محركه الكتريكي متناوب با بسامد و شكل موج معلوم طراحي شده باشد. انواع مختلف شكل موج ها را مي توان به وسيله اين مدارها توليد كرد، كه برخي از آنها كاربرد گسترده اي دارند و كاربرد ساير انواع ان محدودترند . متداول ترين نوع كاربرد آنها در عمل عبارتند از شكل موج هاي سينوسي، مستطيلي، و دندانه اره اي. شكل موج هاي سينوسي به وسيله مولد هاي موج به نام نوسان گر پديد مي آيند در صورتي كه شكل موج هاي مستطيلي و دندانه اره اي را مي توان به وسيله ارتعاشگرهاي ناپايدار يا با ارتعاشگرهاي سد كننده توليد كرد.
نوسانگرها چنان طراحي شده اند كه موجي را كه دامنه و بسامد آن نسبت به زمان به طور محسوسي ثابت باشد توليد كنند؛ برخي از مدارها براي توليد سيگنال خروجي با دامنه و يا بسامد ثابت ساخته شده اند، در صورتي كه ساير مدارها داراي دامنه خروجي و يا بسامدي هستند كه پيوسته تغيير مي كنند.
شكل موجهاي سينوسي براي مقاصد بسيار گوناگوني در مدارهاي الكتريكي - مخابراتي بكار مي روند. بسياري از روشهاي اندازه گيري بر اساس استفاده از سيگنال سينوسي با منحني هاي مشخصه معلوم، استوارند. مثلاً، بهره يك تقويت كننده را مي توان با استفاده از آرايش نمايش يافته اندازه گيري كرد. دامنه و بسامد خروجي نوسانگر در مقادير مناسب تنظيم مي شوند و ولتاژ، Vout ظاهر شده در دو سر مقاومت بار اندازه گيري مي شود.
نوسانگرهاي L-C
نوسانگر سينوسي (لامپي يا ترانزيستوري) را مي توان يك تقويت كننده دانست كه سيگنال ورودي خود را تأمين مي كند، اين سيگنال ورودي از سيگنال خروجي گرفته مي شود. (شكل زير) دليل ممكن بودن اين كار آن است كه تراز سيگنال مورد نياز در دو سر ورودي يك تقويت كننده به طور چشمگيري از تراز سيگنال خروجي تقويت شده كمتر است. ترانزيستور يا لامپ به صورت مبدل انرژي الكتريكي عمل مي كند، درحالي كه توان d.c. را از منبع تغذيه آنود مي گيرد و بخشي از آن را به صورت توان a.c. در سيگنال خروجي تبديل مي كند. در مدارهاي لامپي كه مي خواهيم توصيف كنيم، هم مي توان از سه قطبي ها و هم از پنج قطبي ها استفاده كرد ولي فقط مدارهاي سه قطبي نموده خواهند شد.
نوسانگرها بعنوان منبع نيروي محركه الكتريكي متناوب در تجهيزات ارتباطات خطي، راديويي، و الكترونيكي كاربردهاي فراواني دارند و معمولاً فراواني دارند و معمولاً لازم است كه از نظر بسامد بسيار پايدار باشند. با نوسانگرهاي ساده اي كه توصيف مي شوند نمي توان به پايداري بسامدي از مرتبه بالاتر دست يافت، و نوسانگرهاي ساده اي كه توصيف مي شوند نمي توان به پايه بسامدي از مرتبه بالاتر دست يافت، و نوسانگرهاي بسيار پايدار ديگري را در عمل بكار مي برند. از ساير مشخصات مهم آنها خلوص شكل موج خروجي، و ثبات تراز خروجي بر اساس تغييرات بسامد و يا در ولتاژ تغذيه توان است.
مدار نوساني
اگر خازني، C فورادي، از يك منبع تغذيه d.c. پر شود، در دو سر آن اختلاف پتانسيلي p ولتي برقرار مي شود و در دي الكتريك آن مقداري انرژي الكتريكي 2CV ژول، ذخيره مي شود. اين خازن باردار را چنان در نظر بگيريد كه مطابق شكل زير، به دو سر يك القاگر بسته شده است. مدار كاملي به وجود مي آيد و بدين سان خازن از طريق القاگر تخليه و يك جريان ناجاري مي شود.
وقتي كه ميدان مغناطيسي كاملاً فروافت كرد، جريان به صفر سقوط كرده و خازن مجدداً تا ولتاژي كه تا اندازه گيري كمتر از قبل است، مثلاً (Vδ- V)، كه در آن Vδ يك تغيير ولتاژ جزئي است، كاملاً پر مي شود. تقريباً تمامي انرژي مغناطيسي به شكل انرژي الكتريكي ذخيره شده در دي الكتريك خازن تبديل شده است، و دوباره مقداري اترژي به شكل r2i در مقاومت مدار تلف شده است. اكنون خازن مجدداً شروع به خالي شدن از طريق القا گر مي كند.
ولي اين بار جريان جاري شده در جهت عكس حالت قبل است. مجدداً ميدان مغناطيسي در اطراف القاگر ايجاد مي شود كه با افزايش شدت جريان خالي شدن، افزايش مي يابد. وقتي خازن كاملاً خالي شد، جريان شروع به افت مي كند و ميدان مغناطيسي در حال فرو افت يك نيروي محركه الكتريكي در سيم پيچ هاي القاگر، القا مي كند كه سعي مي كند عبور جريان را در جهت جديد آن حفظ كند. خازن با قطبيت اوليه خود به وسيله اين جريان پر مي شود و وقتي كه كاملاً پر شد (تا ولتاژي كمتر از قبل) يك چرخه جريان نوسازي كامل شده است.
آموزش الكترونيك
درس اول
تعريف ماده : به چيزي كه جرم داشته باشد و داراي وزن باشد وفضا را اشغال كند ماده گويند .
ماده در طبيعت به سه شكل جامد مانند (چوب، فلزو ... ) و مايع مانند ( آب ، شير ، روغن ) و گاز مانند ( هوا ، اكسيژن و .....)
مولكول : كوچكترين جزء جسم كه داراي خواص و مشخصات شيميايي و فيزيكي آن جسم باشد مولكول گويند .
عنصر : جزء اصلي ماده است كه با روشهاي معمولي به اجسام ساده تر تجزيه نمي شود . مانند : آهن، مس، طلا، سيلسيوم، هليوم، و...
اتم : كوچكترين ذرّه يك عنصر را كه هنوز داراي خواص همان عنصر است اتم گويند .
ساختمان اتمي : اگر يك اتم را به اجزاء كوچكتر تقسيم نمائيم در مي يابيم كه از سه قسمت به نامهاي الكترون با بار منفي ، پروتون با بار مثبت و نوترون با بار خنثي تشكيل شده است. كه پروتون ونوترون مجموعاً هسته اتم را تشكيل داده والكترون حول هسته در گردش است و تعداد الكترونها با پروتونها برابر است يك اتم از نظر بار الكتريكي خنثي' مي باشد .
خواص الكتريكي : اجسام از نظر خواص الكتريكي سه دسته ا ند .
1- هادي يا رسانا مانند مس و آلومينيوم و انواع فلزات
2 - عايق يا نارسانا مانند شيشه ، لاك كائوچو و انواع پلاستيك
3 - نيمه هادي مانند سيلسيوم ، ژرمانيوم
هادي يا رسانا : جسمي است كه داراي الكترون آزاد بوده و جريان الكتريسيته را به راحتي از خود عبور مي دهد .
عايق يا نارسانا : جسمي است كه الكترون آزاد نداشته وجريان الكتريسيته را ازخود عبور نمي دهد . و اگر بر اثر مالش در يك قسمت عايق الكتريسيته ايجاد كنيم در همانجا الكتريسيته به صورت بار ساكن باقي مي ماند.
نيمه هادي : جسمي است كه در درجه حرارت معمولي داراي الكترون آزاد كمي بوده و در شرايطي مثل اجسام هادي جريان الكتريسيته را از خود عبور مي دهد .
يون : به اتمي كه از حالت خنثي خارج شده باشد يون گويند. به اتمهايي كه الكترون از دست داده باشند يون مثبت و اتمهايي كه الكترون گرفته باشند يون منفي گويند .
انواع الكتريسيته : بر دو نوع است الكتريسيته ساكن و الكتريسيته جاري ، اگر بار الكتريكي در جسمي ساكن باشد مانند لاك مالش داده شده به آن الكتريسيته ساكن و اگر بلعكس الكترونها در جسمي جاري شوند مانند جريان پيل در سيم به آن الكتريسيته جاري مي گويند .
جريان الكتريكي : اگر به نوعي بتوانيم الكترون هاي آزاد جسمي را به حركت در آوريم جريان الكتريسته حاصل مي شود كه واحد اندازه گيري آن آمپر است . بنا به تعريف : عبور6،280،000،000،000،000،000الكترون در مد ت يك ثانيه ا زيك هادي را يك آمپر 1A و 0.001 آن را يك ميلي آمپر mA و 0.000001آنرا يك ميكرو آمپر 1 گويند .
سوالات درس اول :
1 - بار الكتريكي الكترون و نوترون را بنويسيد .
2 - بار الكتريكي اتم در حالت عادي چيست ؟
3- اجسام زير را از نظر خواص الكتريكي تقسيم بندي كنيد . شيشه ، آهن ، كائوچو ، سرب ، لاك ، طلا ، سيلسيوم ، آلومينيوم ، كاغذ
4- الكترون آزاد يعني چه ؟ در كداميك از عناصر فوق موجود است ؟
5- فرق بين الكتريسيته جاري و ساكن را بيان كنيد .
6- آحاد اندازه گيري جريان را بنويسيد .
درس دوم
مقدار الكتريسيته : اگر جرياني به شدت يك آمپر از مداري عبور نمايد گويند يك كولن بار الكتريكي ( الكتريسيته ) از مدار جاري شده است كه آنرا با Q نمايش داده و مي توان نوشت .
Q=I * t در اين رابطه Q مقدار الكتريسيته بر حسب كولن و I جريان برحسب آمپر و t زمان عبور جريان برحسب ثانيه مي باشد .انواع جريان الكتريكي
انواع جرياني كه درمدارات الكترونيكي با آن سروكار داريم را مي توان به سه دسته زير تقسيم نمود .
1 – جريان مستقيم : به جرياني گفته مي شود كه حركت الكترونها ( كه حامل بار الكتريكي هستند ) در يك جهت و بطور يكنواخت باشد
يعني در طول مدت زمان عبور از مدار تعداد اين الكترونها و جهت حركت آنها تغيير نمي كند . مانند عبور جريان پيل از مدار
2 – جريان متغيير: به جرياني گفته مي شود كه حركت الكترونها در يك جهت ولي تعداد آنها در طول مدت زمان عبو متغيير مي باشد .
مانند حركت جريان در مدارات الكترونيكي ( ميكروفن ، بلند گو و تقويت كننده ها )
3 – جريان متناوب : به جرياني گفته مي شود كه حركت الكترونهاي مداربه طور منظم كم وزياد شده و جهت جريان آن نيز با توجه به تواتر مدار عوض مي شود . مانند عبور الكترون در ترانسهاي برق شهر و در ابعاد كوچكتر در ترانسهاي كاهنده داخل راديوضبط ها
فركانس : تواتر جريان متناوب در واحد زمان ( يك ثانيه ) را فركانس گويند يعني تعداد سيكل در ثانيه
سيكل : يك حركت رفت وبرگشت جريان متاوب را كه همانند يكديگرند وفقط جهت جرايان آنها خلاف يكديگرمي باشند سيكل گويند .
پريود : به مدت زمان صرف شده در هر سيكل از جريان متاوب پريود گفته مي شود .
سوالات درس دوم
1 - چند نوع جريان را مي شناسيد نام ببريد .
2 – فرق جريان متغيير و متناوب را بنويسيد .
3 – حركت الكترونهاي حامل بار الكتريكي در جريان مستقيم را توضيح دهيد .
4 – مفهوم سيكل وپريود چيست ؟
5 – فركانس يعني چه ؟
درس سوم
انواع مقاومتها از نظر جنس مواد تشکیل دهنده :الف : مقاومتهای کربنی
ساختمان اصلی آنها از استوانه ی سرامیکی تشکیل شده که لایه خارجی آن را از کربن به طریق شیمیایی رسوب داده آن را مارپیچ وار شیارمی زنند ومقدار مقاومت با تغییر ضخامت لایه ی گرافیت تغییر می کند .
ب : مقاومتهای سیمی :
برای تهیه ی این نوع مقاومت بدور استوانه ای از عایق چینی سیمهای مخصوص با آلیاژهای نیکل ومس و آهن پیچیده می شود این مقاومتها توان حرارتی بیشتری داشته ودر مداراتی که توان بیشتری مصرف می کنند استفاده می شود .
ج : انواع مقاومت از نظر ساختار فیزیکی :
الف : مقاومتهای ثابت : نوعی از مقاومتهای سیمی یا کربنی می باشند که اندازه اهمی آنها تقریباً ثابت و بدون تغییر می باشند .
ب : مقاومتهای چند سر ثابت : از انواع مقاومت های سیمی ویا کربنی که برای صرفه جویی در حجم دو یا چند مقاومت را با هم سری می کنند .
ج : مقاومتهای قابل تنظیم یا پتانسیومتر: نوعی مقاومت سه سر و یا دو سر می باشند که به وسیله محور گردان یا پیچ کشتی و یا به صورت کشوی قابل تنظیم می باشند .
د : مقاومت های متغیر ویا ولوم : نوعی دیگر از مقاومت ها میباششند که به صورت کشوی ویا استوانه ای ساخته شده و توسط اهرمی در طول مقاومت در نوع استوانه ای ویا به صورت چرخش مقدار اهم آن تغییر می کند . و معمولاً به صورت دستی در کم وزیاد کردن حجم صوت و زیر وبم نمودن صوت در دستگاههای صوتی ویادر مدارات تصویری به منظور تنظیم نمودن نور وشفافیت صفحه نمایش تلویزیون و.... کاربرد دارند .
ه : مقاومتهای متغییر مخصوص یا ویژه : مقاومتهایی هستند که با تغییرات عوامل فیزیکی و الکتریکی مقدار اهمشان تغییر کرده و به صورت دستی ویا مکانیکی متغیر نمی باشند . این دست از مقاومتها خودشان در انواع زیر دسته بندی می شوند .
الف : مقاومتهای حرارتی یا ترمیستور :این مقاومتها خود بر دو نوعند .
ntc ( منفی ) که درمقابل ازدیاد درجه حرارت مقدار اهمشان کم و با کاهش دما اهمشان زیاد می شود .
ptc ( مثبت ) که در مقابل ازدیاد دما مقدار اهم آنها زیاد و با کم شدن درجه حرارت اهم آنها کم می شود .
ب : مقاومت نوری یا فتو رزیستور یا ldr
این نوع مقاومت به نور حساسیت زیادی داشته و با افزایش شدت نور اهم آن کم و با کاهش آن مقاومتش زیاد می شود .
ج : مقاومت کنترل کننده ولتاژ یا وریستور ویا vdr
مقدار اهم این مقاومت بستگی به تغییرات ولتاژ دوسرش دارد که در حالت آزاد مقدار اهم زیادی از خود نشان داده و با اعمال ولتاژ به دوسر آن مقاومتش کم می شود . در بعضی از مدارات به عنوان تثبیت کننده ولتاژ از آنها استفاده می شود .
د : مقاومت کنترل کننده حوزه مغناطیسی یا mdr
این نوع مقاومت درحوزه میدان مغنا طیسی اهمشان کم شده ودر خارج از حوزه مغناطیسی اهم بیشتری از خود نشان می دهند .
درس چهارم
قانون اهم
اختلاف پتانسیل موجب جاری شدن الکترون در هادی می گردد و نیز هادی با عبور جریان مخالفت می کند
یعنی از خود مقاومت نشان میدهد .
قبلاً با سه کمیت نام برده فوق که در زیر نیز ملاحظه می شود :
1 - اختلاف پتانسیل بر حسب ولت که با ( v ) نشان داده می شود .
2 – جریان ( جاری شدن الکترون ) برحسب آمپر که با ( i ) نشان داده می شود .
3 – مقاومت بر حسب اهم : که با ) r ) نشان داده می شود .
آشنا شده ایم .
جرج سیمون اهم رابطه ی v=r.i را در طی آزمایشهای خودش ثابت نمود . و اکنون به نام قانون اهم مشهور شده است .
توان الکتریکی
توان الکتریکی را با ( p )نشان می دهند . و واحد آن وات ( w ) است و کار انجام شده توسط یک ولت با
جریان یک آمپر را یک وات می گویند . یعنی p = v. I در این فرمول می توان به جای v مساوی آن یعنی
r . I را نوشت . یعنی می توان نوشت p =(r.i)i و یا p = r . I . Iدرس پنجممولدهای انرژی الکتریکی :انرژی الکتریکی را می توان از تبدیل انرژی شیمیایی ، مکانیکی و نورانی وحرارتی بدست آورد .
یعنی درحقیقت مولدهای انرژی الکتریکی شکلی از انرژی را تبدیل به انرژی الکتریکی می نمایند .
انواع مولدها : 1 – پیلها 2 - انباره ها 3 – ماشینهای مولد جریان القایی
1 – پیلها
اگر دو الکترود مختلف الجنس رادر مایعی بنام الکترولیت وارد نمائیم پیل حاصل می شود مثلاً اگر یک میله ی گرافیت و یک میله روی را در اسید سولفوریک رقیق فروبریم ومابین میله ها را آمپر متری قرار دهیم آمپر متر عبور جریان را نشان میدهد که به مرور از انحراف آن کاسته میگردد تا زمانی که دیگر عبور جریانی مشاهده نمی شود . در این حالت می گوئیم که پیل پلاریزه شده است . این حالت به دلیل جمع شدن حبابهای ئیدروپن در اطراف میله ذغالی می باشد . برای جلوگیری از عمل پلاریزاسیون می توان ماده ای اکسید کننده (اکسیژن زا ) مانند بی کرومات پتاسیم به محلول اضافه کرد .در این حالت اکسیژن حاصل از بی کرومات با ئیدروژن ترکیب شده وآب حاصل می شود وپیل قابل استفاده می شود . که این پیل به پیل بیکرومات موسوم است .
پیل لکلانشه : یا پیل خشک ، الکترولیت این پیل خمیری است از کلرور آمونیوم ( نشادر ) و الکترود مثبت آن میله گرافیت است . که اطراف آنرا بی اکسید منگنز ( اکسیژن زا ) احاطه نموده و مجموعه را در داخل ظرف محتوی نشادر قرار می دهند و سپس سر ظرف را با مواد قیری مسدود می کنند .
ولتاژ این پیلها 5/1 ولت است و هم اکنون در اندازه وسایزهای مختلف ساخته می شود . ومیزان بازدهی آنها از نظر توان وجریان باهم متفاوتند .
سری و موازی بستن پیلها : اگر باطریها را باهم سری نمائیم ولتاژ آنها با هم جمع می شود و در صورتی که آنها را باهم به صورت موازی ببندیم جریان آنها باهم جمع می شود .
2 – انباره ها : از انواع انباره ها می توان با طری اتومبیل را نام برد که به انباره سربی نیز مشهور است در این انباره از محلول رقیق اسید سولفوریک به عنوان الکترولیت و pbo به عنوان الکترود منفی
و pbo4 به عنوان الکترود مثبت استفاده شده است . که بعد از شارژ قطب مثبت به pbo2 و قطب منفی به سرب تبدیل می شود . نیروی محرکه آن حدود 2/2 ولت است که برای یک باطری 12ولتی اتومبیل از6 واحد انباره بطور سری استفاده می کنند با شارژ کامل ولتاژ باطری به 2/13 ولت می رسد .
3 - ماشینهای مولد القایی : می دانیم اگر از سیمی جریان الکتریسیته عبور کند در اطراف سیم میدان مغناطیسی ایجاد می شود . که از این خاصیت نیز در ساختن آهنربای الکتریکی استفاده می شود . و نیز -اگر یک میله آهنربا را از میان یک سیم پیچ عبور دهیم ودوسرسیم پیچ را به یک میلی آمپرمتر وصل کنیم حرکت عقربه میلی آمپر متر عبور جریانی را نشان می دهد یعنی از حرکت آهن ربا در سیم پیچ جریان -الکتریسیته حاصل می شود و علت آن قطع خطوط نیروی مغناطیسی بوسیله سیم پیچ است از این خاصیت در مولدهای عظیم برق استفاده می شود .
بسمه تعالی
به کلیه مخاطبین
سلام علیکم
با صلوات بر محمد و آل محمد (صل ا... علیه و آله) و احترام، عنایت به اقدام موهن نظامیان آمریکایی در توهین به مقدسات دین مبین اسلام و اقدام خصمانه علیه قرآن مجید در راستای سیاست اسلام ستیزی، ملت های مسلمان و آزاده جهان نسبت به موضع گیری و محکوم کردن این جنایت اقدام نمودند. در عین حال با توجه به تکرار موارد مشابه و سوابق قبلی به نظر می رسد برخورد با این پدیده نیازمند اقدام همگانی و قاطع ملت هاست. لذا در همین راستا جمعی از بسیجیان جهان اسلام و فعال در عرصه بین الملل تصمیم به ایجاد کمپین دایمی محکومیت این گونه اقدامات و موارد به خصوص جسارت سربازان آمریکایی نسبت به قرآن مجید در افغانستان و ارسال نامه به دبیر کل سازمان ملل جهت محکوم کردن گسترده و بین المللی آن گرفته اند.
لذا خواهشمند است براساس وظیفه ی شرعی و دینی به تمامی انحاء نسبت به اطلاع رسانی به بسیجیان سراسر کشور و ثبت نام در سایت و محکومیت این موضوع اقدام نمایند. هم چنین به تمامی بسیجیان فعال در عرصه مجازی، وبلاگ نویسان و اصحاب رسانه، سایت های خبری و تمام افراد ذیربط جهت لینک نمودن سایت مذکور در سایت های خود و تبلیغ آن اقدام نمایند.
توفیقات همه دلسوزان اسلام و نظام اسلامی را از درگاه خداوند متعال خواستاریم.
ضمنا آدرس سایت
میباشد.
مرد که اصلا توقع چنین حرفی را نداشت و حسابی جا خورده بود، مثل آتشفشان از جا در رفت و میان بازار و جمعیت، یقه جوان را گرفت و عصبانی، طوری که رگ گردنش بیرون زده بود، او را به دیوار کوفت و فریاد زد

مردیکه عوضی، مگه خودت ناموس نداری گ... می خوری تو و هفت جد آبادت … خجالت نمی کشی؟ …
جوان امّا، خیلی آرام، بدون اینکه از رفتار و فحش های مرد عصبی شود و عکس العملی نشان دهد، همانطور موأدبانه و متین ادامه داد
خیلی عذر می خوام فکر نمی کردم این همه عصبی و غیرتی شین، دیدم همه بازار دارن بدون اجازه نگاه میکنن و لذت می برن، من گفتم حداقل از شما اجازه بگیرم که نامردی نکرده باشم … حالا هم یقمو ول کنین، از خیرش گذشتم
مرد خشکش زد … همانطور که یقه جوان را گرفته بود، آب دهانش را قورت داد و زیر چشمی زنش را برانداز کرد …
چطوری سیبیلو؟!
دخترک با خونسردی کامل تبسمی کرد و گفت: ...
وقتی تو ابرو بر میداری مو رنگ می کنی و گوشواره میزاری منم
مجبورم سیبیل بزارم تا جامعه احساس کمبود مرد نکنه!!!
برگرفته از وبلاگ حریم ریحانه
پيشواى هفتم حضرت امام موسى بن جعفر(ع)
هيئت تحريريه موسسه اصول دين قم
پيشواى شهيدان
آيت الله سيد رضا صدر
پيشواى دوم : حضرت امام حسن (ع)
هيئت تحريريه موسسه اصول دين قم
پيشگوئيهاى امير المؤمنين عليه السلام
سيد محمد نجفى يزدى
پيامبر امی
استاد شهيد آيت الله مطهرى
پيام غدير
عذرا انصارى
پیامهای عاشورا
جواد محدثي
پیامدهای عاشورا
سيدابوالفضل اردكانى
پيامبرى و پيامبر اسلام
آیت الله ابراهیم امینی
پيامبر (ص) در مدينه
(نقطه عطفى در بالندگى دعوت اسلامى)
على حُجّتى كرمانى
پيام عاشورا
حاوى بيش از 160 پيام از حسين بن على (ع )
محمد صادق نجمى
پندهاى كوتاه از نهج البلاغه
هئيت تحريريه بنياد نهجالبلاغه
پندهاى شيرين
(خلاصه كتاب ابواب الجنان واعظ قزوينى)
سيد حسين شيخ الاسلامى
پندهاى حكيمانه علامه حسن زاده آملى
عباس عزيزى
پندهاى حكيمانه جلد ۳
علامه حسن حسن زاده آملى
بهترين كد هاي جاوا
